1 工信部就干法刻蚀设备测试方法等行业标准公开征集意见-德赢Vwin官网 网
0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

工信部就干法刻蚀设备测试方法等行业标准公开征集意见

微云疏影 来源:综合整理 作者:综合整理 2023-11-16 17:04 次阅读

据工信部网站11月16日消息,工信部公开征集了《半导体设备 集成电路制造用干法刻蚀设备测试方法》等196个行业标准、1个行业标准外文版、38个推荐性国家标准计划项目的意见。根据标准化工作的总体安排,公信部将公布目前申请项目批准的《半导体设备 集成电路制造用干法刻蚀设备测试方法》等196个行业标准,《雪莲养护贴》等1个行业标准外文版项目和《环境污染防治设备术语》等38个推荐性国家标准计划项目。截止日期为2023年12月16日。

wKgZomVV2xeAaTpwAAMMwfHJ41c091.png

其中《半导体设备 集成电路制造用干法刻蚀设备测试方法》对主要起草单位中国电子科技集团公司第48研究所、中国电子技术标准化研究院、湖南楚微半导体科技有限公司,中芯国际集成电路制造有限公司,北京北方华创微电子装备有限公司,中微半导体设备(上海)有限公司,合肥晶合集成电路股份有限公司等。

wKgZomVV2x2AAWwNAAGPOLDOaQA636.png
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网 网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 集成电路
    +关注

    关注

    5387

    文章

    11530

    浏览量

    361625
  • 工信部
    +关注

    关注

    2

    文章

    542

    浏览量

    35519
  • 半导体设备
    +关注

    关注

    4

    文章

    336

    浏览量

    15086
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    半导体湿法和干法刻蚀

    什么是刻蚀刻蚀是指通过物理或化学方法对材料进行选择性的去除,从而实现设计的结构图形的一种技术。蚀刻是半导体制造及微纳加工工艺中相当重要的步骤,自1948年发明晶体管到现在,在微电子学和半导体领域
    的头像 发表于 12-20 16:03 107次阅读
    半导体湿法和<b class='flag-5'>干法刻蚀</b>

    干法刻蚀时侧壁为什么会弯曲

    离子轰击的不均匀性 干法刻蚀通常是物理作用和化学作用相结合的过程,其中离子轰击是重要的物理刻蚀手段。在刻蚀过程中,离子的入射角和能量分布可能不均匀. 如果离子入射角在侧壁的不同位置存在差异,那么
    的头像 发表于 12-17 11:13 104次阅读
    <b class='flag-5'>干法刻蚀</b>时侧壁为什么会弯曲

    芯片制造中的湿法刻蚀干法刻蚀

    在芯片制造过程中的各工艺站点,有很多不同的工艺名称用于除去晶圆上多余材料,如“清洗”、“刻蚀”、“研磨”。如果说“清洗”工艺是把晶圆上多余的脏污、particle、上一站点残留物去除掉,“刻蚀
    的头像 发表于 12-16 15:03 283次阅读
    芯片制造中的湿法<b class='flag-5'>刻蚀</b>和<b class='flag-5'>干法刻蚀</b>

    芯片制造过程中的两种刻蚀方法

    本文简单介绍了芯片制造过程中的两种刻蚀方法   刻蚀(Etch)是芯片制造过程中相当重要的步骤。 刻蚀主要分为干刻蚀和湿法
    的头像 发表于 12-06 11:13 214次阅读
    芯片制造过程中的两种<b class='flag-5'>刻蚀</b><b class='flag-5'>方法</b>

    干法刻蚀侧壁弯曲的原因及解决方法

    本文介绍了干法刻蚀侧壁弯曲的原因及解决方法。 什么是侧壁弯曲? 如上图,是典型的干法刻蚀时,侧壁弯曲的样子,侧壁为凹形或凸形结构。而正常的侧壁几乎是垂直的,角度接近 90°。  什么原因导致了侧壁
    的头像 发表于 12-03 11:00 191次阅读
    <b class='flag-5'>干法刻蚀</b>侧壁弯曲的原因及解决<b class='flag-5'>方法</b>

    晶圆表面温度对干法刻蚀的影响

    本文介绍晶圆表面温度对干法刻蚀的影响 表面温度对干法刻蚀的影响主要包括:聚合物沉积,选择性,光刻胶流动、产物挥发性与刻蚀速率,表面形貌。   聚合物沉积 :工艺过程中产生的聚合物会在
    的头像 发表于 12-03 10:48 225次阅读
    晶圆表面温度对<b class='flag-5'>干法刻蚀</b>的影响

    干法刻蚀工艺的不同参数

          本文介绍了干法刻蚀工艺的不同参数。 干法刻蚀中可以调节的工艺参数有哪些?各有什么作用? 1,温度:晶圆表面温度,温度梯度 晶圆表面温度:控制刻蚀表面的化学反应速率和产物的挥发性 温度梯度
    的头像 发表于 12-02 09:56 313次阅读

    为什么干法刻蚀又叫低温等离子体刻蚀

    本文介绍了为什么干法刻蚀又叫低温等离子体刻蚀。 什么是低温等离子体刻蚀,除了低温难道还有高温吗?等离子体的温度?    等离子体是物质的第四态,并不是只有半导体制造或工业领域中才会有等离子体
    的头像 发表于 11-16 12:53 216次阅读
    为什么<b class='flag-5'>干法刻蚀</b>又叫低温等离子体<b class='flag-5'>刻蚀</b>

    半导体干法刻蚀技术解析

    主要介绍几种常用于工业制备的刻蚀技术,其中包括离子束刻蚀(IBE)、反应离子刻蚀(RIE)、以及后来基于高密度等离子体反应离子的电子回旋共振等离子体刻蚀(ECR)和电感耦合等离子体
    的头像 发表于 10-18 15:20 546次阅读
    半导体<b class='flag-5'>干法刻蚀</b>技术解析

    半导体芯片制造技术之干法刻蚀工艺详解

    今天我们要一起揭开一个隐藏在现代电子设备背后的高科技秘密——干法刻蚀工艺。这不仅是一场对微观世界的深入探秘,更是一次对半导体芯片制造艺术的奇妙之旅。
    的头像 发表于 08-26 10:13 1324次阅读
    半导体芯片制造技术之<b class='flag-5'>干法刻蚀</b>工艺详解

    推进卫星互联网改革

    正积极有序推进卫星互联网业务准入制度改革;8月6日印发《关于创新信息通信
    的头像 发表于 08-08 15:19 1258次阅读

    修订锂电池行业规范条件 强化产品质量和循环寿命

     据悉,为了推动锂离子电池行业向更高层次发展,工业和信息化电子信息司已对现行的《锂离子电池行业规范条件》和《锂离子电池行业规范公告管理办法》进行了修改并
    的头像 发表于 05-08 16:01 360次阅读

    等离子刻蚀ICP和CCP优势介绍

    刻蚀可以分为湿法刻蚀干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差,侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差,通常用于
    的头像 发表于 04-12 11:41 4946次阅读
    等离子<b class='flag-5'>刻蚀</b>ICP和CCP优势介绍

    干法刻蚀常用设备的原理及结构

    。常见的干法刻蚀设备有反应离子刻蚀机(RIE)、电感耦合等离子体刻蚀机(ICP)、磁性中性线等离子体刻蚀机(NLD)、离子束
    的头像 发表于 01-20 10:24 7342次阅读
    <b class='flag-5'>干法刻蚀</b>常用<b class='flag-5'>设备</b>的原理及结构

    第五批电池回收白名单正式出炉

    为引导产业发展、树立标杆效应,综合评审相关企业的技术、环保和安全状况,2023年11月,部发布就符合《新能源汽车废旧动力蓄电池综合
    的头像 发表于 01-18 16:28 1181次阅读
    第五批电池回收白名单正式出炉