日本与法国将合作开发1nm制程半导体
日本不仅推进2nm工程，还在推进更发达的半导体制造技术。日本半导体公司Rapidus和东京大学表示，将与法国半导体研究机构leti共同开发设计电路宽度为1纳米（纳米）的新一代半导体的基础技术，到2024年为止，将正式开展人力交流和技术共享。Rapidus将利用leti的技术构筑1纳米芯片产品供应体制。
双方的目标是，确立设计开发线宽为1.4m1纳米的半导体所必需的基础技术。这个节点需要不同于传统的晶体管结构，leti在该领域的膜形成等关键技术上占据优势。
此前，日本北海道的Rapidus报道说，以2027年批量生产2nm制程晶圆为目标，正在与比利时的半导体开发机构imec、美国ibm进行合作。新一代1nm产品的能源效率和性能比2nm node高出10~20%，预计将在2030年以后普及。拉菲德斯不仅在leti技术上，在1nm技术上也与ibm合作。
Rapidus已经在2023年初向ibm派遣了数百名工程师，让他们学习最新的2nm技术，imec也正在讨论不久后在日本设立分公司。
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