【科普小贴士】MOSFET的结构和工作原理

我们将参照图3-6(a)来解释MOSFET的工作原理。

(1)在漏极为正极的漏极和源极之间施加电压。(漏极-源极电压：VDS)

(2)在栅极为正极的栅极和源极之间施加电压。(栅极-源极电压：VGS)

(3)其结果是，电子被吸引到栅极绝缘膜下面的p型层上，部分p型层转变为n型区(p型层中的n型区称为“反转层(沟道)”)。

(4)当这个反转层完成时，MOSFET漏极到源极将形成n层路径。

(n+⇔n-⇔ 反转层(n)⇔ n+)

(5)因此MOSFET在低电阻下工作，漏极电流由外加VDS和负载流决定。

图3-6(a)平面栅极MOSFET的结构和工作原理

图3-6(b)沟槽栅极MOSFET的结构和工作原理

文章转载自：东芝半导体

审核编辑：汤梓红