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比较器选型指南

CHANBAEK 来源:NB硬件实践知识共享包 作者: 硬件牛马 2023-11-23 15:49 次阅读

我们以ST的LM339DT为例,来了解下比较器选型:

图片

对于图中1:此LM339DT有3种封装类型,共14个引脚,我们选择适合自己的;

对于图中2:此芯片支持单电源和双电源供电,单电源以最低2V到最高36V,或者双电源最低正负1V到最高正负18V,即芯片GND接负电源,VCC接正电源;通常我们用单电源供电,比如5V,12V,15V,18V,24V;我们根据我们设计电路中供电选择合适的电压;

对于图中3:这个芯片的损耗电流在1.1mA左右;

对于图中4:此芯片输入偏置电流典型值为25nA,我们可以根据这个值来设计输入端的分压电阻,设计基准就是前级电路电流至少大于偏置电流1个数量级,保证前级分压稳定性;

对于图中5:此芯片的输入失调电流和输入电压,这2个参数可以解释芯片内部的对称性,失调参数越小,比较器越精准;

对于图中6:告诉我们此芯片在饱和导通输出低电平时,输出并不是0V,而是250mV;

对于图中7:我们知道这个芯片是集成了4路独立的精密比较器;

我们再看下图:下面是此芯片附带的芯片内部框图,我们如果想要更深入了解这个芯片的功能,我们可以研究内部设计电路;基本每个手册都有;

图片

我们再看下极限参数:

  1. 双电源供电最高正负18V,单电源供电最大36V;
  2. 内部晶圆到外界环境的热阻,三个不同封装的都有,单位为℃/W,意思是每上升1W,芯片温度上升的度数;我们可以根据这个参数来估算在实际电路中芯片的内部结温;
  3. 内部晶圆到外壳的热阻,我们可以用热电偶测量芯片表面实际温度,再通过在电路中实际消耗功率来估算芯片内部结温;
  4. 芯片的储存温度范围,在存储时我们要根据各个芯片的储存要求来控制仓库内的温湿度;
  5. 芯片的内部结温最高不超过150℃;
  6. 此芯片在焊接时,要求260℃,焊接时间不超过10s;
  7. 此芯片的ESD静电等级;

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我们再看最后一个比较重要的就是响应时间:

就是我们在输入电压时,和参考电压比较后,电压从0上升到高的时间;或者从高到0的时间,这个我们需要关注下,在低频中不会影响我们的输出结果,但是在高频中我们就要考虑输出波形的完整度问题;

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今天就到这里,谢谢阅读支持;

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