我们以ST的LM339DT为例,来了解下比较器选型:
对于图中1:此LM339DT有3种封装类型,共14个引脚,我们选择适合自己的;
对于图中2:此芯片支持单电源和双电源供电,单电源以最低2V到最高36V,或者双电源最低正负1V到最高正负18V,即芯片GND接负电源,VCC接正电源;通常我们用单电源供电,比如5V,12V,15V,18V,24V;我们根据我们设计电路中供电选择合适的电压;
对于图中3:这个芯片的损耗电流在1.1mA左右;
对于图中4:此芯片输入偏置电流典型值为25nA,我们可以根据这个值来设计输入端的分压电阻,设计基准就是前级电路电流至少大于偏置电流1个数量级,保证前级分压稳定性;
对于图中5:此芯片的输入失调电流和输入电压,这2个参数可以解释芯片内部的对称性,失调参数越小,比较器越精准;
对于图中6:告诉我们此芯片在饱和导通输出低电平时,输出并不是0V,而是250mV;
对于图中7:我们知道这个芯片是集成了4路独立的精密比较器;
我们再看下图:下面是此芯片附带的芯片内部框图,我们如果想要更深入了解这个芯片的功能,我们可以研究内部设计电路;基本每个手册都有;
我们再看下极限参数:
- 双电源供电最高正负18V,单电源供电最大36V;
- 内部晶圆到外界环境的热阻,三个不同封装的都有,单位为℃/W,意思是每上升1W,芯片温度上升的度数;我们可以根据这个参数来估算在实际电路中芯片的内部结温;
- 内部晶圆到外壳的热阻,我们可以用热电偶测量芯片表面实际温度,再通过在电路中实际消耗功率来估算芯片内部结温;
- 芯片的储存温度范围,在存储时我们要根据各个芯片的储存要求来控制仓库内的温湿度;
- 芯片的内部结温最高不超过150℃;
- 此芯片在焊接时,要求260℃,焊接时间不超过10s;
- 此芯片的ESD静电等级;
我们再看最后一个比较重要的就是响应时间:
就是我们在输入电压时,和参考电压比较后,电压从0上升到高的时间;或者从高到0的时间,这个我们需要关注下,在低频中不会影响我们的输出结果,但是在高频中我们就要考虑输出波形的完整度问题;
今天就到这里,谢谢阅读支持;
-
封装
+关注
关注
126文章
7873浏览量
142891 -
比较器
+关注
关注
14文章
1649浏览量
107182 -
引脚
+关注
关注
16文章
1193浏览量
50405
发布评论请先 登录
相关推荐
评论