IGBT中的若干PN结—PNP结构（1）
我们常说IGBT是由BJT（双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）所构成，IGBT中的BJT(Bipolar Junction Transistor)实际上就是由本章前文所述的一对PN结和PIN结所组成，如图所示，其工作过程中的IV特性同样可以通过稳定状态下的连续性方程和载流子浓度分布来推导得出，因过程较为繁琐，这里不赘述详细的推导过程，仅仅把推导逻辑做一个梳理，感兴趣的读者可以根据这个逻辑，并参考前面关于PN结和PIN结的推导过程来尝试推演一下。
回顾之前对于PN结构和PIN结构的分析，稳态下BJT内部的电荷分布（少子）大致可以描绘如图中曲线所示。
在N-base区，掺杂浓度足够低，电子浓度和空穴浓度处处相等，扩散电流和复合电流同时存在；在集电区和发射区的P+区域，掺杂浓度足够高，少子迅速被复合，少子复合电流远大扩散电流。
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