IGBT器件的灵魂
根据施敏教授的拆分理论，器件由4个基本单元组成。
根据该理论，IGBT用到了3个基本单元：（a）金属-半导体界面，（b）pn结（d）金属-氧化层-半导体结构。
以下仅对（b）pn结进行展开。
pn结最重要的参数为 内建电势 （built-in potential）Vbi，公式如下：
其中，KT/q=0.0259（300K），NA/ND分别为P/N型掺杂浓度，ni为本征掺杂浓度。
耗尽层宽度公式如下（当NA＞＞ND时）：
当增加电压偏执V后，耗尽层宽度公式如下：
PN处最高场强公式如下：
全文完，客官们轻拍！
并没有达到想到的目的，待后续更新；
pn结作为基本单元，是玩器件的基础。花点功夫，费点心思在上面是很值得的！！！
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