碳化硅单晶的制造一直是世界性的技术难题,稳定性高的结晶生长工程是其中最核心的技术。
第三代半导体碳化硅材料生产及研究开发企业作为中国电科集团的“12大创新平台之一,山西烁科晶体有限公司聚焦碳化硅单晶衬底领域,已成为国内实现碳化硅衬底材料供应链自主创新的供应商之一。
烁科晶体核心团队,从2009年开始埋头开发包括碳化硅生长碳化硅材料设备制造,粉末合成材料,决定成长及chende加工等先后突破预测高纯碳化硅粉末合成技术,我缺点大直径碳化硅生长工艺技术和超平坦碳化硅chende加工技术等核心技术难题。烁科晶体表示,公司在国内率先突破了8英寸高纯度半切割及导电基板制造技术,已实现少量销售,技术技术达到国际先进水平。
烁科晶体将以8英寸导电N型碳化硅衬底4N48竞逐IC风云榜“年度优秀创新产品奖”。硅碳化硅同质板是在导电硅电石基板上生长硅碳化硅外延而得到的,可制造肖特基二极管、mosfet等功率器件,应用于新能源汽车,轨道交通以及大功率输电变电等领域。
烁科晶体于2018年获得山西省优秀技术难题解决组,2019年作为配套企业获得“国家科学技术进步一等奖”。烁科晶体国家级专业化特新“小巨人”企业,山西省制造业单项排名第一的企业,山西省第三代半导体产业链条“链主”企业、山西省碳化硅材料工程研究中心、山西省碳化硅材料中试基地建设获得了依赖企业等荣誉。
烁科晶体表示,将向着“国内最高、世界一流的碳化硅材料供应企业”的企业飞跃迈进。
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