消息称美光HBM3E正接受主要客户质量评价
据消息人士12月24日透露，全球第三大DRAM制造商美光因其HBM3E多层Memory产品广受好评而受到客户关注。
据悉，HBM内存因其精准特性，结合多层次的DRAM技术，使得它能在AI服务器起到迅速提升数据处理能力和效率的作用。随着市场领导者三星电子和SK海力士的持续投入，这一市场规模预计将于2026年达到近8万亿韩元。
美光已明确表示，预期明年将进占市场份额约5%，排名第三。为了缩小与各领军者间的距离，他们决定在受到瞩目的HBM3E上加大研发力度，且计划于2023年最后阶段为英伟达提供测试。
美光CEO萨吉还指出，美光将于2024年满负荷生产HBM芯片，这意味着相关业务的收益必将得到巨大提升。他预计，在两年下滑后，个人电脑和智能手机市场将于2024年稍有反弹，尤其是NOR闪存市场的复苏趋势更为明显。对于产能问题，萨吉表示会视产品价格回升情况再做调整。
引领市场的竞争对手也在积极推陈出新，扩大领先优势。例如，三星电子和SK海力士正在努力研究的HBM4第六代产品中，混合键合技术将有助于减小体积，增大容量。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网
网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
DRAM
+关注
关注
40文章
2311浏览量
183436 -
美光
+关注
关注
5文章
709浏览量
51418 -
英伟达
+关注
关注
22文章
3770浏览量
90980 -
HBM3E
+关注
关注
0文章
78浏览量
248
发布评论请先 登录
相关推荐
美光12层堆叠HBM3E 36GB内存启动交付
美光科技近期宣布，其“生产可用”的12层堆叠HBM3E 36GB内存已成功启动交付，标志着AI计算领域的一大飞跃。这款先进内存正陆续送达主要
今日看点丨苹果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7；三星：HBM3e先进芯片今年量产
最先进的HBM3e芯片占总HBM的销售额比例将从本季度略高于10%增长到今年最后一个季度的60%。三星存储销售和营销负责人Kim Jaejune表示，该公司将为几家客户供货，但未透露客户
发表于 08-01 11:08
•767次阅读
美光HBM3E解决方案，高带宽内存助力AI未来发展
美光近期发布的内存和存储产品组合创新备受瞩目，这些成就加速了 AI 的发展。美光 8 层堆叠和 12 层堆叠 HBM3E 解决方案提供业界前
传三星HBM3E尚无法通过英伟达认证
三星电子近期正积极投入验证工作，以确保其HBM3E产品能够顺利供应给英伟达。然而，业界传出消息，因台积电在采用标准上存在的某些问题，导致8层HBM3E产品目前仍需要进一步的检验。
三星电子HBM存储技术进展：12层HBM3E芯片，2TB/s带宽HBM4即将上市
据业内透露，三星在HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司，有能力在2024年9月实现对英伟达的替代，这意味着它将成为英伟达12层HBM3E的垄断供应商。然而，三星方面不愿透露具体客户信息。
什么是HBM3E内存？Rambus HBM3E/3内存控制器内核
Rambus HBM3E/3 内存控制器内核针对高带宽和低延迟进行了优化，以紧凑的外形和高能效的封装为人工智能训练提供了最大的性能和灵活性。
发表于 03-20 14:12
•2482次阅读
美光开始量产HBM3E解决方案
近日，全球领先的半导体存储器及影像产品制造商美光公司宣布，已开始大规模生产用于人工智能的新型高带宽芯片——HBM3E。这一里程碑式的进展不仅标志着美光在半导体技术领域的又一次突破，也预
美光科技开始量产HBM3E高带宽内存解决方案
美光科技股份有限公司（Micron Technology, Inc.）是全球内存与存储解决方案的领先供应商，近日宣布已经开始量产其HBM3E高带宽内存解决方案。这一重要的里程碑式进展再次证明了
美光量产行业领先的HBM3E解决方案，加速人工智能发展
2024 年 3 月 4 日全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布已开始量产其 HBM3E
美光开始量产行业领先的 HBM3E 解决方案，加速人工智能发展
其 HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。
美光新款高频宽记忆体HBM3E将被用于英伟达H200
美国记忆体制造巨头美光（Micron）于26日宣布，其最新的高频宽记忆体HBM3E已正式量产。此项技术将被用于今年第2季度的英伟达（NVIDIA）H200 Tensor Core GPU，标志着
三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM
近日，三星电子宣布，已成功发布其首款12层堆叠的高带宽内存（HBM3E）产品——HBM3E 12H，再次巩固了其在半导体技术领域的领先地位。据了解，HBM3E 12H不仅是三星迄今为止容量最大的
三星电子成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。
美光科技批量生产HBM3E，推动人工智能发展
美光执行副总裁兼首席商务官萨达纳（Sumit Sadana）称，公司已实现HBM3E的市场首发和卓越性能，同时能耗具有显著优势，使公司在AI加速领域稳占先机。他还强调，
英伟达大量订购HBM3E内存，抢占市场先机
英伟达（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司订购大量HBM3E内存，为其AI领域的下一代产品做准备。也预示着内存市场将新一轮竞争。
工商网监
评论