英飞凌推出首款采用OptiMOS 7技术的15 V沟槽功率MOSFET
英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15 V 功率 MOSFET 的半导体制造商，采用全新系统和应用优化的OptiMOS 7 MOSFET 技术。新产品创建行业新基准，我们使客户能够在低输出电压的 DC-DC 转换领域迈出新的一步, 释放更优秀系统效率和性能，赋能未来。
与 OptiMOS 5 25 V 相比，更低的击穿电压可显著降低通态电阻RDS(on)和 FOMQg/FOMQOSS，成为同类最佳的产品。可选的组合包括 PQFN 3.3x3.3 mm2源极底置封装（带底部和双面散热型）、衬底上的标准栅和中心栅电极，可灵活优化的 PCB 布局设计，以及紧凑的超小型PQFN 2x2 mm2封装。脉冲电流能力超过 500 A，Rthjc为 1.6 K/W。结合源极底置封装，不仅降低了导通和开关损耗，同时简化散热管理，还将功率密度和效率推向了新高度。该产品系列为支持数据中心配电架构的新趋势（如48:1 DC-DC 转换）提供了飞跃性的支持，开启服务器、数据通信和人工智能应用升级的新篇章，同时最大限度地减少了碳足迹。
主要特点
业内首款 15 V 沟槽功率 MOSFET
与 25 V 节点相比，RDS(on) 达到新基准
出色的 FOMQg/ FOMQOSS
极低的寄生效应
提供标准和中心栅极引脚
可选双面散热型
主要优势
适用于高转换率DC-DC 转换器
降低导通/开关损耗
最佳开关性能和低过冲
源极底置中心栅极可优化并联电路布局
源极底置标准栅极可与现有PCB 布局轻松匹配
双面散热，提高散热性能
价值主张
适用于高比率 DC-DC 转换器：
业内首款工业级 15V 垂直沟槽技术功率MOSFET
与 OptiMOS 5 25V 相比，RDS(on),max4,5 降低 30%
出色的 FOMQOSS 和 FOMQg
紧凑的PQFN 2x2 mm2封装
ID（pulse）=516A，RthJCmax=3.2K/W
双面散热PQFN 3.3x3.3 mm2源极底置封装：
- 简化散热管理
- 降低系统温度
提高功率密度
15V产品组合
审核编辑：汤梓红
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原文标题：英飞凌推出OptiMOS™ 7 15 V MOSFET，创建行业新基准
文章出处：【微信号：儒卓力，微信公众号：儒卓力】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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