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碳化硅功率器件的应用与市场前景

国晶微第三代半导体碳化硅SiC 来源:国晶微第三代半导体碳化 2024-01-17 09:44 次阅读

碳化硅(SiC)作为一种宽禁带半导体材料,具有高击穿场强、高电子饱和漂移速率和高热导率等优异性能,使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。本文将对碳化硅功率器件的技术、应用和市场前景进行深入探讨。

一、碳化硅功率器件的技术

制造工艺:碳化硅功率器件的制造工艺主要包括外延生长、薄膜制备、掺杂、刻蚀和金属化等环节。其中,外延生长是关键技术之一,直接影响器件的性能和可靠性。目前,常用的外延生长技术包括化学气相沉积和物理气相沉积等。

结构与特性:碳化硅功率器件的主要结构包括MOSFETIGBT和Schottky等。这些器件具有低导通电阻、高开关速度和高温稳定性等优点,适用于高频率、高电压和高功率的应用场景。此外,碳化硅功率器件还具有优良的耐压和耐电流能力,能够承受更高的工作温度和更快的开关速度。

可靠性:碳化硅功率器件的可靠性是其广泛应用的重要因素之一。在高温、高湿和机械应力等恶劣环境下,碳化硅功率器件能够保持稳定的性能和较长的使用寿命。此外,碳化硅功率器件还具有良好的抗辐射性能,适用于航天、核能和医疗等领域。

二、碳化硅功率器件的应用

碳化硅功率器件在许多领域都有广泛的应用,以下是一些典型的应用场景:

电动汽车与充电桩:随着电动汽车市场的不断扩大,碳化硅功率器件在电动汽车电机控制和充电桩等领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件的高效率、高耐压和高开关速度等特点,使得电动汽车的续航里程更长、充电时间更短,提高了电动汽车的性能和用户体验。

智能电网与可再生能源:碳化硅功率器件在智能电网和可再生能源领域的应用包括无功补偿、有功滤波、电能质量改善和太阳能逆变器等。这些应用可以提高电网的稳定性和可靠性,降低能源损耗,促进可再生能源的发展。

工业自动化电机控制:碳化硅功率器件在工业自动化和电机控制领域的应用包括变频器、伺服控制器电机驱动器等。这些应用可以提高设备的效率和可靠性,降低能耗和维护成本,促进工业自动化的发展。

轨道交通与航空航天:碳化硅功率器件在轨道交通和航空航天领域的应用包括牵引传动、辅助电源和航天电子等。这些应用可以提高设备的可靠性和效率,降低维护成本,促进轨道交通和航空航天事业的发展。

三、碳化硅功率器件的市场前景

随着技术的不断进步和应用需求的不断提高,碳化硅功率器件的市场前景十分广阔。据市场研究报告,未来几年碳化硅功率器件的市场将以惊人的速度增长,预计到2025年将达到数十亿美元的规模。这一增长主要得益于电动汽车、可再生能源和智能电网等领域的快速发展,以及碳化硅功率器件在提高能效、降低成本和减少碳排放等方面的优势。

总结而言,碳化硅功率器件作为一种高性能的半导体材料,具有广泛的应用前景和市场潜力。随着技术的不断进步和应用需求的不断增长,碳化硅功率器件将继续发挥重要作用,为人类社会的可持续发展做出贡献。

无锡国晶微半导体技术有限公司是宽禁带第三代半导体碳化硅SiC功率器件、氮化镓GaN光电器件以及常规集成电路研发及产业化的高科技创新型企业,从事碳化硅场效应管,碳化硅肖特基二极管、GaN光电光耦继电器、单片机集成电路等产品芯片设计、生产与销售并提供相关产品整体方案设计配套服务,总部位于江苏省无锡市高新技术开发区内,并在杭州、深圳和香港设有研发中心和销售服务支持中心及办事处。

公司具有国内领先的研发实力,专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、品质稳定的碳化硅高低功率器件及光电集成电路产品,同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务,使客户的系统性能优异、灵活可靠,并具有成本竞争力。

公司的碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,产品已经投入批量生产,产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品,性能达到国际先进水平,应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。由于其具有高速开关和低导通电阻的特性,即使在高温条件下也能体现优异的电气特性,大幅降低开关损耗,使元器件更小型化及轻量化,效能更高效,提高系统整体可靠性,可使电动汽车在续航里程提升10%,整车重量降低5%左右,并实现设计用充电桩的高温环境下安全、稳定运行。

特别在高低压光耦半导体技术方面更是拥有业内领先的研发团队。在国内创先设计开发了28nm光敏光栅开关PVG芯片技术,并成功量产应用于60V、400V、600V高低压、低内阻、低电容的光电耦合继电器芯片、涵盖1500kVrms SOP超小封装及3750kVrms隔离增强型常规SMD、DIP等不同封装,单路、双路、混合双路、常开常闭等电路产品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit单片机等集成电路产品,均获得市场及各重点科研单位、检测机构的新产品认定。

公司核心研发团队中大部分工程师拥有硕士及以上学位,并有多名博士主持项目的开发。公司建立了科技创新和知识产权管理的规范体系,在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计、器件模型提取等方面积累了众多核心技术,拥有多项国际、国内自主发明专利。

“国之重器,从晶出发,自强自主,成就百年”是国晶微半导体的企业目标,我们为员工提供精彩的发展空间,为客户提供精良的产品服务,我们真诚期待与您携手共赢未来。

审核编辑:汤梓红

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原文标题:碳化硅(SiC)功率器件:技术、应用与市场前景

文章出处:【微信号:国晶微第三代半导体碳化硅SiC,微信公众号:国晶微第三代半导体碳化硅SiC】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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