英特尔3D封装工艺进入量产，集成万亿晶体管
1 月 25 日讯息显示，英特尔已实现基于先进封装科技的大规模量产，包括创新的 Foveros 3D 封装技术。这项技术，由英特尔于新墨西哥州 fab 9 工厂进行深度革新与升级后正式投产后披露。英特尔公司首席运营官 Keyvan Esfarjani 称：“这类尖端封装技术使英特尔脱颖而出，助益客户在提升芯片性能、缩小尺寸以及增强设计灵活性等方面掌握竞争优势。”
众所周知，整个半导体领域正迈进一个同时整合多个‘芯粒’（Chiplets，也被称为‘小芯片’）在同一封装中的多元时代。基于此，英特尔的 Foveros 及新型 EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）等高级封装解决方案被誉为能将一万亿个晶体管融于单一封装之内，且有望在2030年后助力延续摩尔定律。
具体来讲，Foveros 3D先进封装技术在处理器制造过程中，能以垂直角度替代传统的水平堆叠计算模块。更重要的是，Foveros赋予了英特尔及其合作伙伴将各类芯片混合在一起，从而达到优化成本和能源效率的目的。
英特尔甚至透露，预计至2025年，旗下Foveros3D封装产能将有四倍增长。
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