碳化硅模块使用烧结银双面散热DSC封装的优势与实现方法-德赢Vwin官网网

碳化硅模块使用烧结银双面散热DSC封装的优势与实现方法

新能源车的大多数最先进 (SOTA)电动汽车的牵引逆变器体积功率密度范围从基于 SSC-IGBT的逆变器的 <10 kW/L 到基于 SSC-SiC 的逆变器的约 25 kW/L。100 kW/L 代表了这一关键指标的巨大飞跃。

当然，随着新能源车碳化硅的广泛应用，散热问题成为制约发展的瓶颈问题，双面散热方案被提到日程上来了。

一碳化硅双面散热的优势

AS9377无压烧结银应用

双面散热 SiC模块方面所做的工作，与传统的相比，该模块可以显示牵引逆变器性能的巨大改进单侧冷却模块。利用双面散热模块改进的性能，可以显著减少SiC芯片数量，从而带来功率密度和成本优势。

1碳化硅芯片数量减少：从24颗减少到12颗或者16颗；

2热阻降低30%以上；

3电感降低70%：由于不使用铜键合线；

4面积缩小50%；

5综合以上因素，可以提高接近40%的功率密度。

二碳化硅双面散热的实现方法

碳化硅双面散热 DSC来说，碳化硅芯片通常夹在两个导电导热基板之间。以前的顶部连接方法使用覆盖器件区域一部分的短金属柱，已经尝试了许多材料用于金属柱，例如铜、钼等材料。

对于背面芯片来说，烧结银AS9377比焊接有在连接方面有优势，无压烧结银形成的致密银层具有更高的导热性和导电性以及更高的可靠性。使用无压烧结银膏的一个关键优点是：顶部接触的散热系统形成过程中很容易变形，从而适应几何变化，例如基板厚度的差异。

与用于芯片连接的其他焊料相比，烧结银的许多优点现在也转移到了顶部连接，以及低弹性模量的优点，因此比铜或钼柱有更低的机电应力。

三用于碳化硅芯片焊接的无压纳米烧结银

烧结银AS9377在 260°C或更低的温度下使用固态扩散，可以在没有压力辅助的情况下达到高达50MPA的剪切强度和280W/M.K的导热率。

银烧结比传统焊接方法具有多种优势。比如低温固化高温服役；导热系数高；剪切强度大；环保无铅；性能可靠等优势。

结论

双面散热的功率模块封装的创新可以提高功率密度并减少 SiC和等材料，从而在电动汽车应用中实现更低的成本和更可持续的功率转换。

本文介绍的使用无压烧结银AS9377的创新的碳化硅双面散热 DSC方法可以成为用于提高电动汽车性能的众多解决方案之一。

审核编辑黄宇

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

封装

封装

+关注

关注
126

文章
7873

浏览量
142890
新能源车

新能源车

+关注

关注
3

文章
612

浏览量
23805
DSC

DSC

+关注

关注
3

文章
279

浏览量
33594
碳化硅

碳化硅

+关注

关注
25

文章
2748

浏览量
49014

碳化硅功率器件的优势和应用领域

在电力电子领域，碳化硅（SiC）功率器件正以其独特的性能和优势，逐步成为行业的新宠。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，使得碳化硅功率器件在高温

发表于 09-13 10:56 •652次阅读

<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的<b class='flag-5'>优势</b>和应用领域

Wolfspeed推出创新碳化硅模块

全球领先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一项重大技术创新，成功推出了一款专为可再生能源、储能系统以及高容量快速充电领域设计的碳化硅模块。这款模块以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米

发表于 09-12 17:13 •529次阅读

碳化硅功率器件有哪些优势

碳化硅（SiC）功率器件是一种基于碳化硅半导体材料的电力电子器件，近年来在功率电子领域迅速崭露头角。与传统的硅（Si）功率器件相比，碳化硅器件具有更高的击穿电场、更高的热导率、更高的饱和电子漂移速度以及更高的工作温度等

发表于 09-11 10:25 •526次阅读

<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件有哪些<b class='flag-5'>优势</b>

大面积烧结银AS9387成为碳化硅功率器件封装的首选

大面积烧结银AS9387成为碳化硅功率器件封装的首选

发表于 08-09 18:15 •720次阅读

大面积<b class='flag-5'>烧结</b><b class='flag-5'>银</b>AS9387成为<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件<b class='flag-5'>封装</b>的首选

基本半导体铜烧结技术在碳化硅功率模块中的应用

随着新能源汽车产业的蓬勃发展，功率密度的不断提升与服役条件的日趋苛刻给车载功率模块封装技术带来了更严峻的挑战。碳化硅凭借其优异的材料特性，成为了下一代车载功率芯片的理想选择。同时，高温、高压、大电流

发表于 07-18 15:26 •382次阅读

基本半导体铜<b class='flag-5'>烧结</b>技术在<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>模块</b>中的应用

烧结银赋“芯”生，引领半导体革命

GVF9880预烧结银焊片用于碳化硅模组。

发表于 06-17 18:10 •733次阅读

<b class='flag-5'>烧结</b><b class='flag-5'>银</b>赋“芯”生，引领半导体革命

使用碳化硅模块的充电设备设计

使用MPRA1C65-S61SiC模块设计充电设备的优势、设计注意事项和实际应用案例。碳化硅模块的优势高效能和低损耗:SiC

发表于 06-06 11:19 •308次阅读

使用<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>模块</b>的充电设备设计

车规级#烧结银AS9386推力实验视频（碳化硅模组用烧结银） #人工智能

碳化硅

善仁（浙江）新材料科技有限公司

发布于 :2024年05月11日 22:03:48

碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV

的碳化硅压敏电阻由约90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合剂和添加剂制成。将原材料制成各种几何尺寸的压敏电阻，然后在特定的大气和环境条件下在高温下烧结。然后将一层黄铜作为电触点喷上火焰。其他标准

发表于 03-08 08:37

一文了解SiC碳化硅MOSFET的应用及性能优势

耐压，高可靠性。可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度等特性，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。一. 碳化硅MOSFET常见封装TO247

发表于 02-21 18:24 •1386次阅读

一文了解SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的应用及性能<b class='flag-5'>优势</b>

新能源车的福音：双面烧结银技术替代焊线技术，提升碳化硅模块的功率

新能源车的福音：双面烧结银技术替代焊线技术，提升碳化硅模块的功率

发表于 01-24 19:51 •483次阅读

碳化硅特色工艺模块简介

材料的生长和加工难度较大，其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面：注入掺杂在碳化硅

发表于 01-11 17:33 •849次阅读

碳化硅器件封装与模块化的关键技术

碳化硅（Silicon Carbide，简称SiC）器件封装与模块化是实现碳化硅器件性能和可靠性提升的关键步骤。

发表于 01-09 10:18 •486次阅读

碳化硅功率器件简介、优势和应用

碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件

发表于 01-09 09:26 •2834次阅读

碳化硅功率器件的优势应及发展趋势

的优势高频率：碳化硅材料的电子迁移率比硅高，使得碳化硅功率器件能够承受更高的开关频率。这有助于减小无源元件的尺寸，提高系统的整体效率。低损耗：碳化硅的导通电阻比硅低，使得

发表于 01-06 14:15 •739次阅读

搜索历史