储能市场持续高速发展。在全球主要国家追求碳中和及能源自主可控的大背景下,储能作为光伏和风电产业的最强辅助,成为新兴电力系统中不可或缺的一环。根据中关村储能产业技术联盟(CNESA)数据显示,截至 2022 年底,全球已投运储能项目累计装机容量达到 237.2 GW,同比增长 13%,其中全球新增投运电力储能项目装机规模 27.8GW,同比增长 52%;我国累计储能装机量达到 59.4 GW,同比增长 37%,约占全球比重的 25%,较前一年上升 4 个百分点,其中 2022 年新增装机16.1 GW,同比高增 109%,国内储能行业快速发展。根据 CNESA 的不完全统计,截至 2023 年 9 月底,中国已投运电力储能项目累计装机规模 75.2GW,同比增长50%,2023 年前三季度,新增投运电力储能项目装机规模 15.8GW,同比增加 74%,2024 年储能行业有望延续高景气度。
近年来,随着光储系统核心器件技术持续增强,智能化水平不断提升,对vwin 芯片性能也提出了更高的要求。为更好适配光储系统的高要求,先积集成进行了深度布局,为光储充系统提供一站式半导体解决方案,包括运放、LDO、基准、比较器、数据转换器等丰富的产品组合。
BMS的精密测量
为了准确估算电池电量,充分利用电池能量,精确地检测电池的电流和电压在储能系统中就非常有必要。还有电池充电放电电流范围,特别是磷酸铁锂的充放电曲线具有很宽的范围,极小的测量误差也会带来大的系统差异。而为了提高电池利用效率,不能用很大的采样电阻,这就决定了需要有低失调运算放大器。
LTC855x和LTC833x是先积低功耗零飘运放,130dB 高共模抑制比,非常合适电池系统电流采集。接近零的温度漂移在高增益时也能满足低误差要求。
LTC855x 主要参数
±8 μV (maximum) VOS with a Drift of ±40 nV/℃ (maximum)
AVOL: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V)
PSRR: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V)
CMRR: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V)
Vn: 0.45 μVPP (typical, f = 0.1 to 10 Hz)
1.5 MHz Bandwidth and 1.2 V/μs Slew Rate
Settling Time to 0.1% with 1V Step: 1.2 μs
Overload Recovery Time to 0.1%: 35 μs
Micro-Power 125 μA per Amplifier and 1.8 V to 5.5 V Wide Supply Voltage Range
温度范围: −40℃ to +125℃
LTC833x 主要参数
最大输入失调电压:± 15 μV
AVOL: 112 dB (minimum, VS = 5.5V)
PSRR: 112 dB (minimum, VS = 5.5V)
CMRR: 112 dB (minimum, VS = 5.5V)
Vn: 1.1 μVPP (typical, f = 0.1 to 10 Hz)
350 kHz Bandwidth and 0.22 V/μs Slew Rate
Settling Time to 0.1% with 1V Step: 6 μs
Overload Recovery Time to 0.1%: 55 μs
静态电流:26 μA
温度范围: −40℃ to +125℃
为了精确采集,除了降低输入失调,也要提高ADC精度,先积提供LTD211x 16bi Δ-Σ ADC ,LTD226x 24bitΔ-Σ ADC。另外精度高的参考电压也是不可缺少的一环,LTR30/33电压基准,高精度,低温漂,补充了这方面的需求。
LTD226x 主要参数
高精度:2 ppm 积分线性误差
多通道:5单端/3差分(LTD2260);10单端/5差分(LTD2261)
高转换速率:2.5 to 40k SPS
集成高精度基准:2 ppm/℃
50Hz/60Hz工频陷波
PGA、基准输出电压阈值监控
集成两路独立精密电流源
集成高精度温度传感器
传感器断路检测
4路GPIO
LTR30/33xx 主要参数
可选输出电压: 1.25 V, 2.048 V, 2.5 V, 3.0 V, 3.3 V, 4.096 V
初始精度: ±0.1% (maximum)
低温漂: 20 ppm/⁰C (maximum)
输出噪声: 15 μVPP/V
供电电压: 2.7 to 5.5 V
静态功耗: < 500 μA
启动时间: < 400 μs
工作温度: −40 to 125⁰C
Output Current: ±5 mA
02
BMS的供电设计
BMS有MCU,信号调理芯片,通信芯片等。为了信号调理电路有干净的电源,通常第一级用DCDC将高电压降到稍低电压,再用LDO稳压到5V或者3.3V,这里就要求LDO具有低噪声,高电源抑制比的特性。在某些场合为了降低待机功耗,工作模式用DCDC供电,待机模式,关闭主供电,切换到LDO高压降到低电压给MCU供电。LTP3559A,其耐压45V,2.5μA功耗,60dB PSRR就能满足这些要求。1%的输出精度也能为比较电路提供稳定参考。
LTP3559A 主要参数FEATURES
宽电压输入 : up to 45 V
输出电流: 350 mA
可选固定输出: 1.8 V, 2.5 V, 3.0 V, 3.3 V, 3.6 V, and 5.0 V
静态电流 : 2.6 μA Typically
短路电流: 150 mA
线性度 : 0.01%/V Typically
03
逆变器是储能系统重要一部分。模拟链路上需要采集诸如母线,电子电力器件等的电流和电压数据。LTA2904,LTA2901/3为业界提供高性价比通用运算放大器和比较器,用于电流采样信号调理,保护指示等。如果需要快速的保护响应,先积提供了4ns推挽输出比较器LTA677x。
LTA2901/3 主要参数FEATURES
1.2µs 群延迟(±50mV 过驱电压)
轨对轨输入/输出,兼容TTL/CMOS电平输出
支持2.5V~36V (±1.25~±18V) 供电方式
兼容LM2903, LM2901等
低静态电流 250µA/CH
灵活的封装形式: SOT23-5/SOIC-8/MSOP-8/TSSOP-8/DFN3*3-8L/SOIC-14/TSSOP-14
LTA677x 主要参数FEATURES
4ns 传输延时(100-mV Overdrive)
轨对轨输入输出
带关闭功能(LTA6771)
供电电压Supply voltage : 2.7 V to 5.5 V
兼容Replacement for TLV3501, TLV3502
小封装Small packages: available in SOT23-5L,SC70-5L,SOT23-6L,SOIC-8L,SOT23-8L,MSOP-8L
低功耗Low supply current : 3mA
先积数据转换产品GP9303和GP8101还提供另一种低成本隔离电压采样思路。GP9303为模拟转PWM专用APC芯片,将模拟信号转化成PWM经过光耦隔离由MCU IO采集PWM,减少占用用ADC资源。
GP9303为模拟转PWM专用APC芯片,将模拟信号转化成PWM经过光耦隔离由MCU IO采集PWM,减少占用用ADC资源。
APC系列中GP9303M将PWM信号高频调制后输出,可以灵活用于不同隔离方式。如下图。
GP9303M将模拟信号VIN转换成调制的PWM信号,经过电容或变压器隔离传输后,GP6200将信号还原成PWM输出。
此方案PWM信号的传输没有任何失真,确保批量的一致性。
GP6300提供一路频率驱动信号输出,通过变压器产生一个反激电源,给GP9303M供电。省去了额外的隔离电源。
电气隔离性能取决于Y电容和变压器,可以做到非常高的隔离电压。
GP9303 主要参数FEATURES
将0V到5V的模拟电压输入,线性转换成0%-100%占空比的PWM信号输出。
GP9303M将0V到5V的模拟电压输入,线性转换成0%-100%占空比的PWM信号,并且将PWM信号高频调制后输出,应用于电容隔离方案。
输入信号兼容0V-5V
输出PWM信号的频率范围: 1Hz to 1MHz
输出PWM信号高电平:5V
最大PWM占空比误差:< 1% (0.5%、0.1%)
PWM占空比线性度误差 <0.5%(0.2%、0.1%)
电源电压:8V - 40V
功耗:<5mA
启动时间:<2ms
工作温度:-40°C to 85°C、-40°C to 125°C
GP8101 主要参数FEATURES
GP8101将0%-100%占空比的PWM信号输入,线性转换成0-5V或者0-10V的模拟电压输出。
GP8101M将0%-100%占空比的高频调制后的PWM信号输入,线性转换成0-5V或者0-10V的模拟电压输出。此芯片需要与高频调制APC芯片(GP9301M、GP9303M等)同时使用,用于模拟信号的电容隔离,或者变压器隔离。
输入信号范围0%-100%
输入PWM信号的频率范围: 50Hz to 50KHz(小于50Hz请联系先积)
输入PWM信号高电平:3.0V-5.5V
输出电压误差:< 1% (0.5%)
输出电压线性度误差 <0.5%(0.2%)
电源电压:10V - 15V
功耗:<2mA
启动时间:<2ms
工作温度:-40°C to 85°C
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