GD32的FLASH读、擦除、写操作
一，GD32的flash特征
1、在flash的前256K字节空间内，CPU执行指令零等待；在此范围外，CPU读取指令存在较长延时；
2、对于flash大于512KB（不包括等于512KB）的GD32F10x_CL和GD32F10x_XD，使用了两片闪存；前512KB容量在第一片闪存（bank0）中，后续的容量在第二片闪存（bank1）中；
3、对于flash容量小于等于512KB的GD32F10x_CL和GD32F10x_HD，只使用了bank0；
4、对 于 GD32F10x_MD ， 闪 存 页 大 小 为 1KB 。GD32F10x_CL 和 GD32F10x_HD ，GD32F10x_XD，bank0的闪存页大小为2KB，bank1的闪存页大小为4KB；
5、支持32位整字或16位半字编程，页擦除和整片擦除操作；
二，GD32的flash结构
1、GD32F10x_MD
GD32F10x_CL，GD32F10x_HD 和 GD32F10x_XD
三，GD32的flash读操作
flash可以像普通存储空间一样直接寻址访问。
value=*(uint32_t*)FlashAddr;
uint16_t IAP_ReadFlag(void){ return *(volatile uint16_t*)(FLASH_ADDR); }
四，GD32的flash擦除操作
每一页可以被独立擦除，步骤如下：
1，确保FMC_CTLx寄存器不处于锁定状态；
2，检查FMC_STATx寄存器的BUSY位来判定闪存是否正处于擦写访问状态，若BUSY位为1，则需等待该操作结束，BUSY位变为0；
3，置位FMC_CTLx寄存器的PER位；
4，将待擦除页的绝对地址（0x08XX XXXX）写到FMC_ADDRx寄存器；
5，通过将FMC_CTLx寄存器的START位置1来发送页擦除命令到FMC；
6，等待擦除指令执行完毕，FMC_STATx寄存器的BUSY位清0；
7，如果需要，使用DBUS读并验证该页是否擦除成功。
void fmc_erase_page(uint32_t Page_Address){ fmc_unlock(); //fmc解锁 /* clear all pending flags */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
/* erase the flash pages */ fmc_page_erase(Page_Address);
/* clear all pending flags */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
fmc_lock(); //fmc上锁}
要擦除连续的几页：
void fmc_erase_pages(void){uint32_terase_counter;
/* unlock the flash program/erase controller */ fmc_unlock(); /* clear all pending flags */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
/* erase the flash pages */ for(erase_counter = 0; erase_counter < page_num; erase_counter++){ fmc_page_erase(FMC_WRITE_START_ADDR + (FMC_PAGE_SIZE * erase_counter)); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR); }
/* lock the main FMC after the erase operation */ fmc_lock();}
全部擦除：
void fmc_erase_page(uint32_t Page_Address){ fmc_unlock(); //fmc解锁 /* clear all pending flags */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
/* erase whole chip */ fmc_mass_erase();
/* clear all pending flags */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
fmc_lock(); //fmc上锁}
五，flash写
往flash的某个地址写入数据前，一般要先擦除该地址。
16位半字编程：
void IAP_WriteFlag(uint16_t flag){ fmc_unlock(); fmc_page_erase(IAP_FLAG_ADDR); fmc_halfword_program(IAP_FLAG_ADDR,flag); fmc_lock();}
32位整字编程：
void fmc_program(void){ /* unlock the flash program/erase controller */ fmc_unlock();
address = FMC_WRITE_START_ADDR; /* program flash */ while(address < FMC_WRITE_END_ADDR){ fmc_word_program(address, data0); address += 4; fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR); } /* lock the main FMC after the program operation */ fmc_lock();}
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