Vishay推出多功能新型30 V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET-德赢Vwin官网网

PowerPAK 1212-F 封装 30 V N 沟道 MOSFET

Vishay 推出多功能新型 30 V N沟道 TrenchFET第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK1212-F 封装，10 V 栅极电压条件下导通电阻仅为 0.71 mW，导通电阻与栅极电荷乘积，即开关应用中 MOSFET 关键的优值系数（ FOM ）为 42 mΩ*nC，达到业内先进水平。

日前发布的器件占位面积与 PowerPAK 1212-8S 封装相同，导通电阻降低 18 %，提高了功率密度，同时源极倒装技术将热阻从 63 °C/W 降至 56 °C/W。此外，SiSD5300DN 优值系数比上代器件低 35 %，从而降低了导通和开关损耗，节省功率转换应用的能源。

PowerPAK1212-F 源极倒装技术颠倒通常接地焊盘和源极焊盘的位置，扩大接地焊盘面积，提供更有效的散热路径，有助于降低工作温度。同时，PowerPAK1212-F 减小了开关区范围，有助于降低迹线噪声的影响。另外，PowerPAK 1212-F 封装源极焊盘尺寸增加了 10 倍，从 0.36 mm2提高到 4.13 mm2，从而改进热性能。PowerPAK1212-F 中央栅极结构还简化了单层 PCB 基板多器件并联的使用。

采用源极倒装PowerPAK1212-F封装的SiSD5300DN特别适合二次整流、有源箝位电池管理系统（BMS）、降压和BLDC 转换器、OR-ing FET、电机驱动器和负载开关等应用。典型终端产品包括焊接设备和电动工具、服务器、边缘设备、超级计算机、平板电脑、割草机和扫地机以及无线电基站。

器件经过100 % RG和 UIS 测试，符合 RoHS 标准，无卤素。

Vishay采用源极倒装技术 PowerPAK1212-F封装

30 V N 沟道 MOSFET，RDS(ON)低至 0.71mΩ

审核编辑：刘清

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原文标题：采用源极倒装技术 PowerPAK® 1212-F 封装 30 V N 沟道 MOSFET

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