武汉新芯集成电路专利“半导体器件及其制备方法”公布 
武汉新芯集成电路制造有限公司近日公开了有关“半导体器件及其制备方法”的专利授权信息。该项发明申请公布号为CN117577581A，申请公布日期定于2024年2月20日。
在此项专利中，申请人展示了一种新型半导体器件及其制作流程。其主要步骤包括先制备出含有第一钝化层，第一金属层和第二钝化层的半导体基体；接着在第二钝化层背对第一钝化层的一侧表面设计并形成可用作掩模的图案，过量暴露第一介面的至少局部区域；然后在掩模图案远离第一钝化层的另一侧涂设第二金属层，使之泛盖掩模图案，并且还有部分覆盖到第一金属层和掩模图案暴露出来的那部分第二钝化层；接下来再去除掩模图案及与之相关的第二金属层，最终形成重布线结构。整个过程有助于清除不需要的金属，避免金属残余的产生。同时，由于重布线结构具有良好的均匀厚度，因此既能提高生产效率，又能有效地降低制造成本。
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