RAM,中文名为随机存取存储器。它是一种计算机主存储器的形式,用于暂时存储CPU要处理的数据和程序。RAM 存储器可以被CPU随机访问,也就是说,CPU可以在不按照顺序进行访问的情况下,任意地选择存储器中的一个地址,并读取或写入存储器中的数据。
RAM 存储器通常被划分为动态随机存储器(DRAM)和静态随机存储器(SRAM),二者在价格、容量、速度、功耗等方面有所不同。
DRAM 存储器是一种廉价而高密度的存储器,可以存储数GB的数据,但其读写速度较慢,需要经常刷新(refresh)新颖的数据。SRAM 存储器则是一种高速而通常较少容量的存储器,可以迅速读写存储其内容,但通常更昂贵。
在计算机中,CPU需要定期地从 RAM 存储器中读取数据和指令。随着计算机应用程序的不断发展,RAM 存储器的容量和速度不断提高,以适应计算机系统的需要。
RAM结构
RAM(随机存取存储器)是一种计算机主存储器,根据内部结构的不同,可以分为静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)两种,它们的内部结构有所不同。
1. SRAM结构:SRAM 存储器使用了一组存储器单元。每个存储器单元由 6 个晶体管构成,其中 4 个是用于两个互补反相器的电脑元件,另外 2 个是用于选择单元的开关。SRAM 存储器具有实时响应能力和快速读取速度,但因为它使用许多元件来实现简单的存储单元,所以它需要更多占用空间。
2. DRAM结构:DRAM 存储器使用了一组存储器单元。每个存储器单元由一个电容器和一个晶体管构成。一个电容器只能存储一个数字位。DRAM 存储器具有高存储密度和简单的存储单元,但刷新需要的访问时间增加了存储和访问延迟。DRAM 存储器使用内部刷新电路,以避免数据位损失,但这也使得它的响应时间较长。
总的来说,SRAM和DRAM结构的区别在于他们使用的存储单元不同。SRAM使用更多的晶体管实现一个单元,RAM需要较大的空间才能保存相同的数据,但是他的读取速度快,响应时间实时。DRAM使用电容器和晶体管构成一个存储单元,存储密度高,但刷新延迟高,响应时间慢。
审核编辑:黄飞
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