3月6日消息,固态技术协会JEDEC近日公布了全新的JESD239 GDDR7显存标准(Graphics Double Data Rate),相比GDDR6,新规带来了双倍的带宽表现,单机承载能力最高可达每秒192GB。
据了解,JESD239 GDDR7首次采用了脉幅调制(Pulse Amplitude Modulation,PAM)接口以实现高效的高频操作,增强了信号噪声比,降低能源消耗。该标准利用三级(+1,0,-1)的2周期交互传输3比特数据,相较于传统的NRZ(非归零码)接口的2周期交互传输2比特,显著提升了每个循环的数据吞吐量,进而提升整体性能。
该标准还具备以下高端特性:
核心独立LFSR(线性反馈移位寄存器)训练模式配备眼睛屏蔽和错误计数器,能有效提高训练精度并缩短训练时间。
独立通道数量由GDDR6的两个翻番至四个。
支持16至32 Gbit的密度跨度,包含2通道模式,以此提高系统容量。
加入最新数据完整性功能,包括实时报告的片上纠错、数据中毒、错误检查及清除及带命令阻塞的命令地址奇偶校验(CAPARBLK),满足RAS( reliability、availability、serviceability)的市场需求。
JEDEC董事会主席Mian Quddus表示:“JESD239 GDDR7代表着高速显存设计的一大突破。转向PAM3信号,为显存产业拓宽了GDDR设备性能提升的新路径,助推图形与各类高性能应用保持持续发展。”
JEDEC GDDR小组委员会主席Michael Litt指出:“GDDR7颠覆以往仅关注带宽,而是通过结合最新数据完整性功能以达到RAS市场要求,这些功能使GDDR设备更顺利地满足现有的云游戏和计算机处理等市场需求,并向AI领域拓展。”
此外,根据公告信息透露,AMD、美光、英伟达、三星、SK海力士均对这一标准表示全力支持。其中,三星和美光业已规划下一代GDDR7模块研发项目。三星设定的目标时速为32 Gbps,这意味着性能提升率将达到1.6倍;美光方面,其目标则是研发24 Gb+ 32 Gbps系列芯片。美光在近期的路线图里亦表明,预计到2026年,将推出达到36 Gbps及24Gb+的显存芯片产品。
-
寄存器
+关注
关注
31文章
5336浏览量
120224 -
接口
+关注
关注
33文章
8573浏览量
151007 -
显存
+关注
关注
0文章
108浏览量
13654
发布评论请先 登录
相关推荐
评论