场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。
场效应管怎么区分n沟道p沟道
场效应管按沟道分可分为N沟道和P沟道管(在符号图中可看到中间的箭头方向不一样)。
按材料分可分为结型管和绝缘栅型管,绝缘栅型又分为耗尽型和增强型,一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管,并且大多采用增强型的N沟道,其次是增强型的P沟道,结型管和耗尽型管几乎不用。
n沟道场效应管(N-channel FET)和p沟道场效应管(P-channel FET),它们之间的区别在于导电通道的类型及极性。
1. N沟道场效应管(N-channel FET):
- 导电通道类型: N沟道场效应管的导电通道是n型半导体构成的,在介质中需要接通阳极(source)和阴极(drain)之间的电流,需要施加正电压到栅极(gate)上。
- 极性: N沟道场效应管的栅极对源极的介质结构呈负电压。
2. P沟道场效应管(P-channel FET):
- 导电通道类型: P沟道场效应管的导电通道是p型半导体构成的,在介质中需要接通阴极和阳极之间的电流,需要施加负电压到栅极上。
- 极性: P沟道场效应管的栅极对源极的介质结构呈正电压。
区分N沟道场效应管和P沟道场效应管的方法通常包括以下几点:
- 引脚标识: 查看FET器件的引脚,通常会有标明N沟道或P沟道的标识。
- datasheet: 查看器件的datasheet,其中会明确指出器件的类型是N沟道还是P沟道。
- 测试方法: 可以通过外部测试电路,如万用表等仪器,对器件进行测试来确认器件类型。
MOS管导通条件
N沟道:Ug》Us时导通。(简单认为)Ug=Us时截止。
P沟道:Ug《us时导通。(简单认为)ug=us时截止。《 p=“”》
注意一点,MOS管做开关器件的时候,输入输出一定不能接反,接反的寄生二极管一直处于导通状态,MOS本身就失去开关的作用了。
审核编辑:黄飞
-
场效应管
+关注
关注
46文章
1162浏览量
63907 -
MOS管
+关注
关注
108文章
2410浏览量
66752 -
开关器件
+关注
关注
1文章
191浏览量
16889 -
寄生二极管
+关注
关注
0文章
49浏览量
3205
发布评论请先 登录
相关推荐
评论