三星的HBM3芯片生产良率约为10-20%！
3月13日消息，据外媒报道，三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜（NCF）技术。
三位直接知情人士称，三星已经发出了处理 MR-MUF 技术的设备采购订单。“三星必须采取一些措施来提高其 HBM 良率…… 采用 MUF 技术对三星来说有点像是抛弃自尊心的决定，因为这相当于效仿了 SK 海力士的行为。”
有分析师表示，三星的 HBM3 芯片生产良率约为 10-20%，而 SK 海力士的 HBM3 生产良率约为 60-70%。随着 AI 行业的火热，业界对于 HBM3 和 HBM3E 需求越来越高，三星必须尽快做出改变。
消息人士称，三星还在与包括日本长濑集团在内的材料供应商洽谈采购 MUF 材料的事宜，但使用这一技术的高端芯片最早要到明年才能实现量产，因为三星还需要进行大量测试。IT之家注：长濑产业株式会社是拥有近 200 年历史的日本十大商社之一，是全世界最大的专业化工商社。
三位消息人士还表示，三星计划在其最新的 HBM 芯片中使用 NCF 和 MUF 技术。
三星回应称，其内部开发的 NCF 技术是适用于 HBM 产品的“最佳解决方案”，并将用于其 HBM3E 芯片，后续“将按照计划推进 HBM3E 产品业务”，而英伟达和长濑拒绝置评。
审核编辑：刘清
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原文标题：三星HBM3良率仅为20%！
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