意法半导体携手三星推出18nm FD-SOI工艺，支持嵌入式相变存储器-德赢Vwin官网网

意法半导体携手三星推出18nm FD-SOI工艺，支持嵌入式相变存储器

3 月 21 日，全球著名半导体公司意法半导体携手韩国科技巨头三星共同发布，18nm FD-SOI 工艺正式落地，该技术将集成嵌入式相变存储器（EPCM）。

据悉，FD-SOI 是一种先进的平面半导体技术，能够通过简化制作流程进行精准的漏电流控制，相较于现有的 40nm EPM 技术，新工艺大幅度提高了性能指标：能效提升 50%，数字密度增加三倍有余，并能够承载更大的片上存储和更低的噪音系数。

值得注意的是，尽管制程仅为 18nm，但此项工艺依然保证了各种vwin 功能如电源管理及复位系统在 3V 电压环境中正常运行。另外在耐热性、防辐射性能方面都有出色表现，适用于各类严苛的工业领域。

按照计划，首批基于该工艺平台开发的 STM32 MCU 将在下半年投放到选定客户群，预计 2025 年下半年进入大规模生产阶段。

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