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动力电池芯片技术哪家强?

矽力杰半导体 2024-03-27 08:18 次阅读

2024开年,汽车行业喊出了“电比油低“的口号,新能源汽车渗透率的提升已然加速。新能源汽车的核心是电池,发展新能源汽车需要最大限度地提高电池的可靠性和使用寿命,电池管理系统(BMS)非常关键。BMS的精度越高,电池组的运行也就越可靠。

01

BMS,让电池变得更好

电池管理系统(BMS)能够精准监测和管理电动汽车中高压电池包的每个电芯和整个电池包的参数变化,帮助电动汽车实现更大可用容量以及确保电动汽车运行的安全可靠。

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矽力杰BMS系统解决方案利用精密的电压电流监测管理,充分提高了电芯的能源利用率,提高汽车续航里程、电池能量密度和充电容量,延长了动力电池的使用寿命,降低了电动汽车的制造成本。

02

矽力杰12-1500V BMS一站式解决方案

矽力杰全面布局BMS领域,现已量产多款应用于高压BMS系统的核心芯片,包括:符合功能安全ASIL-D等级的BMS AFE及其配套的SPI通信接口芯片,支持功能安全的MCU芯片,I/V/T检测芯片,隔离电源驱动芯片, 高边驱动芯片,车载SBC多路电源管理芯片,高压降压芯片以及用于CAN网络ESD静电保护芯片,为高压BMS系统提供性能最优的一站式芯片解决方案。

SA63122|18串电池监测和被动均衡

◆工作电压:12V ~ 80V , 6 ~ 18 串电池组

◆16位MAIN ADC带可编程测量时隙(典型157μs )

◆18通道电池组和母线电压测量:± 1mV精度

◆12通道电池包温度测量精度:±0.2%

◆芯片温度测量精度:±5℃

◆可配置的ADC后置数字低通滤波器

◆支持母线电压连接和测量

◆集成N FET用于电池被动均衡

- 每通道最大300mA均衡电流

- 智能热管理(电池、PCB、芯片)

- ADC测量过程中自动暂停

◆内置独立的硬件OVUV / OTUT保护

- 提供可编程的OVUV计数器以允许消除抖动

- 支持每个通道灵活的OTUT阈值选择

◆休眠模式下反向唤醒主机

◆12个GPIO通道

◆3个操作模式

- 关机模式:超低静态电流准备唤醒

- 休眠模式:OVUV,OTUT保护、均衡、通信线路的心跳信号

- 激活模式:用于ADC测量和菊花链通信

◆鲁棒的菊花链通信

◆AEC-Q100 1级认证

◆封装:TQFP10×10-64E

◆ 功能安全符合ISO26262 ASIL-D

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SA63000|SPI通信接口芯片

◆12V/5V工作电压

◆功能安全符合ISO26262 ASIL-D

◆SPI接口:2MHz~6MHz

◆256字节TX FIFO和32字节RX FIFO

◆芯片温度测量精度:±5℃

◆工作模式

-休眠模式:支持5μA静态电流反向唤醒主机

-激活模式:支持环形架构通信并将故障直接通知主机

◆AEC-Q100 1级认证

◆封装:TSSOP16E

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SA47301|车规级 PMIC

◆输入电压: 3~40V

◆内部集成升压,降压稳压器,微处理器,CAN,高精度电压基准电源,电压跟随LDO,待机LDO

◆可配置问答式和窗口式看门狗

◆为外部电源模块提供频率同步信号和电压监测功能

◆独立内部电压监测模块

◆独立输出复位和中断信号

◆具有可编程延迟时间两个安全状态输出

◆16位SPI通信接口

◆输入过压保护

◆超长时间计时器(LDT)

◆微处理器错误信号监测

◆功能安全符合ISO26262 ASIL-D

◆封装:QFN7×7-48

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SA24403|40V输入同步降压调节器

◆宽输入电压范围:4.2~40V

◆内置软启动限制浪涌电流

◆可调开关频率范围:300kHz至2.2MHz

◆3.5A输出电流能力

◆参考电压±2% 0.6V(-40°C~125°C)

◆ 逐周期峰值限流

◆短路保护,热关断和自动恢复

◆ 紧凑型封装:SO8E

◆AEC-Q100 1级认证

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SA21803A|单通道高边开关

◆AEC-Q100/101/104认证

◆极低的关断电流和DMOS漏电流

◆3.3V和5V兼容逻辑输入

◆高精度负载电流检测

◆负载开路、过流和过温诊断

◆欠压/过温/过压/短路保护

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SA52731|隔离电源变压器驱动器

◆单3.3V或5V电源

◆小型变压器推挽式驱动器

◆高边电流驱动:500mA

◆扩频时钟

◆内部振荡器:360kHz

◆AEC-Q100 1级认证

◆封装:SOT-23

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SAT03N24|CAN总线瞬态保护

◆高速数据线瞬态保护

-IEC 61000-4-2 (静电保护)±30kV (空气/接触)

-IEC 61000-4-5(浪涌保护): 4A (8/20μs)

◆可对两条数据、控制或CAN总线线路进行保护

◆低电容: 12pF (典型值)

◆低漏电流: 0.01μA@VRWM (典型值)

◆每个 I/O 引脚在±8kV接触放电情况下可承受超1000次静电冲击

◆AEC-Q101认证

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SAT01N24|LIN总线瞬态保护

◆高速数据线瞬态保护

-IEC 61000-4-2 (静电保护)±30kV (空气/接触)

-IEC 61000-4-5(浪涌保护): 4A (8/20μs)

◆可对单条汽车LIN总线线路进行保护

◆低电容: 12pF (典型值)

◆低漏电流: 0.01μA@VRWM (典型值)

◆每个 I/O 引脚在±8kV接触放电情况下可承受超1000次静电冲击

◆AEC-Q101认证

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