瑞能半导体推出一种带隙大于传统硅基肖特基二极管的半导体器件

碳化硅（SiC）肖特基二极管是一种带隙大于传统硅基肖特基二极管的半导体器件。因此碳化硅二极管更适用于大功率和高频率应用，如电动汽车（EV）的牵引逆变器、光伏逆变器、电源等。此外，与硅基器件相比，碳化硅器件具有更高的击穿电压、更低的导通电阻（导通状态）和更高的热导率。

预计现在到2033年期间，全球碳化硅肖特基二极管市场的年复合增长率将达到21.4%。这一增长是由诸多应用对大功率、高效率半导体器件日益增长的需求推动的。包括瑞能半导体在内的几家公司已对碳化硅二极管的开发进行了大量投资。

今天重点推介的WNSC6D10650T二极管，正是瑞能半导体提供的亮点产品之一。

WNSC6D10650T二极管的卓越性能

WNSC6D10650T是由瑞能半导体制造的650V、10A、60mOhm肖特基二极管。作为第六代碳化硅肖特基二极管，与前几代产品相比具有诸多优势。

第六代生产技术结合了外延生长和晶片键合技术，可生产出性能卓越的二极管。外延生长工艺能生产出无缺陷的高质量碳化硅层，而晶圆键合工艺则能将两个碳化硅层结合在一起，从而制造出具有更高载流能力的加厚二极管。

第六代 SiC肖特基二极管技术

更多特性和优势

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低压降

在室温（25°C）下，电流为10A时，导电状态下的压降（正向电压）在1.29V至1.45V之间，而在150°C时，则在1.45V至1.65V之间。较低的压降使二极管适用于大功率和高频率应用，如光伏转换器、电动汽车驱动逆变器、LED驱动器、电源等。

不同电流水平和不同结温下的典型压降值如下图所示：

图1：电压降(Vf)与传导电流(If)的函数关系

Vo = 0.829 V；Rs= 0.0748 Ω

(1)Tj= -55°C；(2)Tj=0°C；(3)Tj=25°C；

(4)Tj=100°C；(5)Tj=150°C；(6)Tj=175°C

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低反向电流

反向电压为650V、环境温度为25°C时，反向电流(Ir)为1μA至50μA，而在150°C时，反向电流(Ir)为15μA至200μA。Ir值越低，二极管的效率就越高，因为当二极管不处于导通状态时，以热量形式损失的能量就越少。其特性也适用于功率转换器和电源等高频应用。

不同结温和反向电压下的反向电流的典型值如下图所示：

图2：反向电压(Vr)与反向电流(Ir)的函数关系

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更高的最大导通电流

该值相当于二极管在短时间内能承受而不损坏的最大导通电流，这是二极管在涉及电流和电压瞬态峰值的应用中必须具备的重要特性。

下表列出了不同工作条件下的最大电流（正向浪涌电流或Ifsm）：

图3：不同工作条件下的最大导通电流

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减少电磁干扰（EMI）

电源的高频运行导致电压上升和下降速度加快，这是电磁干扰的主要原因。电磁干扰增加会导致电源装置故障，从而导致触电或火灾。二极管WNSC6D10650T能够降低电磁干扰（EMI），是电源的理想解决方案。

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符合RoHS指令

RoHS是限制有害物质（Restriction of HazardousSubstances）的缩写。这是一项欧盟指令，限制在电气和电子设备中使用某些有害物质。受RoHS限制的有害物质包括铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯(PBB)和多溴二苯醚(PBDE)。这些物质是危险的，因为它们可能导致健康问题或环境破坏。

除了一流的工作特性外，WNSC6D10650T二极管还符合RoHS规范，使用该产品的电子设备既安全又环保。

审核编辑：刘清