三菱电机出席第十七届中国高校电力电子与电力传动学术年会-德赢Vwin官网网

4月12日至14日，第十七届中国高校电力电子与电力传动学术年会在安徽宣城隆重举办，本届会议由中国高校电力电子与电力传动学术年会组织委员会主办，合肥工业大学承办。三菱电机作为本次会议钻石赞助商出席会议。

一年一度的学术年会，以深入研讨各高校电力电子与电力传动学科发展现状和趋势，促进各高校对本学科认识和理解为目标，协同国内外领域内知名专家，围绕电力电子技术，电力传动技术等各个领域的新理论、新技术、新成果进行探讨，自2005年筹备以来，会议已发展成为由19所国内知名高校组织、近100所高校及科研院所参与的重要的学术论坛之一。

三菱电机从事开发和生产功率半导体已有68年，自进入中国市场以来，在持续优化产品质量服务的同时，也不断深度参与行业交流，支持相关领域学科教育。三菱电机半导体曾连续多年为多所高校相关专业优秀学生颁发奖学金，设立联合实验室提供相关设备及技术支持，并多次以赞助商身份支持行业学术研讨会议。

在本届年会中，三菱电机半导体中国区技术总监宋高升先生发表了名为“三菱电机功率芯片和功率模块技术最新进展”的专题演讲，该演讲从学术研究的前沿性角度出发，结合三菱电机的最新功率芯片技术进展，从家电、工业、轨道牵引和电动汽车四个行业应用对三菱电机的最新功率模块解决方案进行了概述，并围绕第三代半导体中的SiC，介绍了三菱电机的产品系列和研发生态。

在本次会议中，三菱电机展出了三款SiC相关产品：J3系列电动汽车专用功率模块，第2代全SiC MOSFET模块，全SiC高压MOSFET。

其中J3系列电动汽车专用功率模块采用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC-MOSFET）或RC-IGBT（Si），具有紧凑的设计和可扩展性，可用于电动汽车（EV）和插电式混合动力汽车（PHEV）的逆变器。

第2代全SiC MOSFET模块采用第2代低损耗平面栅SiC芯片，为系统的高频化和高效率带来提升，通过对称布局，降低模块内部的杂散电感，内置RTC电路，提升模块的短路耐量时间，方便驱动设计。

全SiC高压MOSFET采用LV100封装使其功率组件容易标准化，通过采用新的SiC-MOSFET和SiC-SBD芯片实现更高的电流密度。

此外，在本次会议中，三菱电机机电（上海）有限公司被授予“大会钻石赞助商”荣誉称号。愿未来携手更多行业组织，共创电力电子行业新篇章！

审核编辑：刘清

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原文标题：相约文房四宝之乡，三菱电机出席第十七届中国高校电力电子与电力传动学术年会

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