不对称半桥AHB拓扑技术——东科DK8715AD全合封解决方案解析-德赢Vwin官网网

在电源设计中，不对称半桥AHB拓扑技术适用于单电压输入的场景，而对于宽电压输入的应用，则需要增加PFC级以实现更好的性能。该技术在宽电压输出方面表现优越，特别适用于需要高度可调性的场合，相较于LLC技术更为适合PD等应用场景。

不对称半桥AHB拓扑技术集成了LLC和反激的优点，实现了初级侧零电压开关（ZVS）和次级侧零电流开关（ZCS），提高了系统的效率。通过采用电感与电容双储能元件，可以有效减小变压器体积，从而提高系统的整体紧凑性。

另外，二次侧同步整流技术使电压应力较小，有效降低了系统成本。整体外围结构简单，易于调试，并且对电磁干扰（EMI）的压力较小。

东科半导体推出了一款市面唯一的All-in-One全合封不对称半桥解决方案DK8715AD，采用三合一设计，单芯片集成AHB控制+半桥驱动+半桥GAN器件，实现了优异的总线控制功能，提供卓越的性能和效率。由于其超高的集成度，相较于其余方案，其外围元件大幅减少，调试难度低，有效降低了系统成本压力，整体成本远低于竞品方案。

东科半导体DK8715AD

东科半导体DK8715AD是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率开关芯片，其能够在较大的负载范围内实现原边功率管ZVS，副边整流管ZCS，从而提高电源系统效率。同时软开关还可以降低功率管应力，内置全范围抖频电路，从而减小开关损耗并改善电磁干扰。

DK8715AD支持最高800KHz开关频率，前段带有升压PFC的情况下推荐功率为150W（高功率密度小体积应用场景），待机功耗小于50mW，具备自适应死区和关断算法，无需外围调节，外围极致精简，同时具备无卤素特性，符合ROHs要求，并内置高压启动和X电容放电电路，可为系统提供更高的性能和可靠性。DK8715AD自适应四种负载模式，有效提高各负载段效率，通过搭载DK8715AD，可使设备效率最高可达95.4%。

DK8715AD典型应用图

DK8715AD内置了两颗650V增强型GaN HEMT，采用半桥驱动和AHB控制，内置半桥驱动电路以及不对称半桥控制电路。上管部分采用自适应关断技术，能够在需要时实现自动关断操作，而下管部分则采用自适应死区技术，有效地避免死区效应的发生。同时配备了多功能引脚，这些引脚可以用于退磁检测、输出OVP、Brown in/out等功能，还具有CS负压采样功能从而提高驱动稳定性。

DK8715AD外围精简，可极大简化AC-DC转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8715AD 具备完善的保护功能：包括过载保护、输出过压保护、输出短路保护、VCC 过/欠压保护、VS 引脚异常保护、初级过流保护、过温保护等。

DK8715AD采用DFN8*8的封装形式，适用于高功率密度快速充电器、适配器、笔记本适配器、平板电脑适配器、电视电源、两轮电动车充电器、通信电源、LED电源等领域之中。

与一元硬币实观对比。

方案总结

不对称半桥AHB拓扑技术整合了LLC和反激的优点，实现了初级侧零电压开关（ZVS）和次级侧零电流开关（ZCS），从而提高了系统的效率，有效减小变压器体积，提高系统的整体集成度。另外，二次侧同步整流技术降低了系统成本，外围结构简单，易于调试，并对电磁干扰（EMI）的压力较小。

DK8715AD是一款基于不对称半桥架构的全合封解决方案，集成了AHB控制、半桥驱动和两颗650V增强型GaN HEMT，具备高达800KHz的开关频率，待机功耗小于50mW，具备自适应死区和关断算法。DK8715AD可在较大负载范围内实现原边功率管ZVS和副边整流管ZCS，外围设计精简，简化了AC-DC转换器设计，降低了系统成本压力，适用于高功率密度快速充电器、适配器、电源等领域，同时具备全面的保护功能，确保产品稳定性和可靠性。

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉