ESD的3种模型和RF PA ESD保护方案介绍
芯朴科技所有5G n77 n77/79 PAMiF LFEM 天线口内置IEC ESD保护电路设计，无需外加额外ESD保护电路情况下，都通过IEC ESD 8kV测试标准，保障抗ESD可靠性，在产线组装和大批量出货后确保无IEC ESD损坏。
射频器件直接外接天线，ESD性能显得尤为突出，下文会介绍ESD分类和原理介绍。
1
ESD 是什么
1.ESD：Electro-Static Discharge，ESD的中文名是静电释放
2.什么是静电：静电是一种处于静止状态的电荷，当电荷聚集在某个物体上或表面上就形成了静电；静电产生的两大原因：摩擦起电和感应起电（电磁感应）
3.ESD 的特点：长时间聚积、高电压、低电量、作用时间短的特点
4.ESD 对元器件的危害：
IC中的每个元件的面积非常小，每个元件的寄生电容也就非常小，所以，少量的静电电荷就会产生很高的静电电压，而且每个元件的功率耐量通常也很小，所以，静电放电就很容易破坏IC。
2
ESD通常的3种模型
人体模型（HBM）
机器模型（MM）
充电器件放电模型（CDM）
2.1
HBM电路模型
2.2
机器模型（MM）
2.3
充电器件放电模型（CDM）
2.4
HBM、MM及CDM波形对比
• CDM的放电速度是HBM或MM的100倍。
•CDM的峰值电流可以是HBM脉冲的40倍
3
ESD和EOS 失效对比
3.1
ESD & EOS 失效的时间曲线
3.2
ESD & EOS 失效尺寸
ESD
EOS
4
ESD 等级的定义
4.1
HBM 等级
| Classification | Voltage Range（V） |
| 0Z | < 50 |
| 0A | 50 to < 125 |
| 0B | 125 to < 250 |
| 1A | 250 to < 500 |
| 1B | 500 to < 1000 |
| 1C | 1000 to < 2000 |
| 2 | 2000 to < 4000 |
| 3A | 4000 to < 8000 |
| 3B | ≥ 8000 |
4.2
MM 等级
| Classification | Voltage Range（V） |
| M1 | < 100 |
| M2 | 100 to < 200 |
| M3 | 200 to < 400 |
| M4 | ≥ 400 |
4.3
CDM 等级
| Classification | Voltage Range（V） |
| C1 | < 125 |
| C2 | 125 to < 250 |
| C3 | 250 to < 500 |
| C4 | 500 to < 1000 |
| C5 | 1000 to < 1500 |
| C6 | 1500 to < 2000 |
| C7 | ≥ 2000 |
5
ESD射频应用趋势
未来射频PA或者LFEM内置于ESD保护电路通常与匹配网络共同设计，降低客户外围增加ESD电路的成本和难度。
审核编辑：刘清
-
寄生电容
+关注
关注
1文章
292浏览量
19225 -
电磁感应
+关注
关注
17文章
824浏览量
58023 -
ESD保护电路
+关注
关注
0文章
15浏览量
6245 -
射频器件
+关注
关注
7文章
125浏览量
25543 -
HBM
+关注
关注
0文章
378浏览量
14742
原文标题：ESD模型和RF PA ESD保护方案介绍
文章出处：【微信号：gh_5500866a60cf，微信公众号：芯朴科技XinpleTek】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
ESD（静电放电）介绍及ESD保护电路的设计
HDMI接口的ESD保护电路及解决方案
I/O端口的ESD保护
静电放电ESD三种模型及其防护设计
工商网监
评论