三星第九代V-NAND 1TB TLC量产，密度提升逾50%
据悉，三星半导体近日宣布已成功实现第九代V-NAND1Tb TLC产品的量产，其单位面积内存储量较前代产品大幅提升了约50%。这一成绩得益于先进的通道孔蚀刻技术，大幅度提升了生产效率。
第九代V-NAND采用双堆叠设计，将旗舰版V8闪存原先的236层进一步增加至290层，主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算设备领域。
据行业内部人士透露，三星计划于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆叠技术，有望达到430层，从而进一步提升NAND的密度，巩固并扩大其市场领导地位。
市场研究机构Omdia预测，尽管NAND闪存市场在2023年出现37.7%的下滑，但预计今年将迎来38.1%的反弹式增长。为在这一快速发展的市场中抢占先机，三星承诺加大对NAND业务的投入力度。
早前，IT之家曾报道，三星高层表示，公司的长远目标是在2030年前研发出超过1000层的NAND芯片，以实现更高的密度和存储能力。
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