安建半导体推出针对大电流高功率应用的SGT MOSFET器件
近年來，工业及消费市场对于系统的要求不断提高，为达到更优秀的效率、可靠性及热性能，MOSFET作为功率核心部件担当着非常重要的角色。安建半导体为满足不断发展及增长的解决方案需求，除了在传统直插式封装，如TO-220及TO-247，及性能较高的贴片式封装，如TOLL及TO-263，中奠定良好基础外，更引入了先进热性能封装技术，采用顶部散热设计「TOLT」，及双面散热设计「DFN5x6 DSC (Dual Side Cooling) 」为市场提供更卓越的SGT MOSFET产品系列。
1.封装设计
TOLT是表面散热的引脚型TO封装，与同样有高电流、高功率密度的TOLL封装相比，TOLT将汲极直接暴露于表面，透过将散热片置于表面，使绝大部分的热量不需透过PCB，以更直接的方式传至散热片，降低传统底部散热封装（例如TOLL及TO-263等）透过PCB传热时所产生的功耗。TOLT通过优化散热和热传导路径，不但可以提升整体系统热性能，更为客户设计PCB及考虑散热方案时提供更灵活的方案
封装示意图
DFN5X6 DSC是双面散热型封装，与同样POD的单面散热DFN5X6相比，DFN 5X6 DSC在保留汲极的底部散热面的同时，将表面的铜夹片外露，使DFN5X6 DSC可同时透过底部PCB和顶部外露铜夹片，配合散热片同时散热。DFN 5X6 DSC可以大幅降低整体器件热阻，从而降低系统工作温度，提高其稳定性及延长器件的使用寿命。DFN 5X6 DSC以达到极致的功率密度，为高热性能及功率要求的客户提供更优秀的方案。
封装示意图
2.产品优势及应用领域
在电力电子领域，MOSFET通常是表面贴装 (SMD)，采用DFN 5x6, TO-263 和TOLL 等封装类型。SMD安装是首选技术，因为作为一种紧凑的解决方案，它具有良好的性能以及自动放置和焊接的便利性。然而，SMD元件的散热并不理想，因为热传播路径通常穿过印刷电路板(Fig. 1)。
Fig. 1 传统底部散热封装的散热路径
安建半导体推出新型TOLT和DFN 5X6 DSC 封装中器件的热路径是向上的，因此散热器位于MOSFET上方(Fig. 2)，能将功率器件、栅极驱动器和其它元件等元件放置在电路板底部的释放区域。这能使用更小的PCB。这种更紧凑的布局还能实现更短的栅极驱动器走线，这在工作中是一个优势。
Fig. 2 顶部散热封装位于封装顶部的散热器，从而改善布局和散热路径
由于热量不再需要通过PCB，因此电路板本身保持较低温度，MOSFET附近的元件在较低温度下工作，因此更可靠。顶部冷却封装提供了更好的热响应，每瓦功耗的温升较低，能在预定的最大结温升高下以更大的功率运行。最终，采用顶冷封装的相同MOSFET芯片比采用标准SMD封装的相同芯片具有更高的电流和性能能力。
| 封装型式 | 产品优势 | 应用领域 |
TOLT  |
•高功率密度 •灵活而出色的散热方案 •低表面热阻 •高可靠性 |
•电池管理系统 •马达控制 (E-Bike, 电动两轮车, 服务机器人) |
|
DFN 5X6 DSC   |
•高功率密度 •兼容DFN 5X6 POD •低封装电阻及寄生电感 •低整体热阻 •高可靠性 |
•电池化成 •高功率电源 (LED, 服务器) •马达控制 (E-Bike, 电动工具, 服务机器人, AGV) |
3.推荐型号及POD
审核编辑：刘清
-
MOSFET
+关注
关注
147文章
7156浏览量
213132 -
寄生电感
+关注
关注
1文章
155浏览量
14595 -
栅极驱动器
+关注
关注
8文章
740浏览量
38974 -
smd封装
+关注
关注
1文章
26浏览量
4942
原文标题：安建半导体 SGT MOSFET 采用先进热性能封装 TOLT, DFN5x6 DSC ，针对大电流高功率应用
文章出处：【微信号：gh_73c5d0a32d64，微信公众号：JSAB安建科技】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
替代Trench MOSFET？国产SGT MOSFET产品井喷
安森美半导体大力用于汽车功能电子化方案的扩展汽车认证的器件
惠海半导体60V50A低结电容SGT工艺NMOS管HG012N06L
什么是基于SiC和GaN的功率半导体器件？
SGT MOSFET技术优势
安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规全部测试
安建半导体推出1200V-17mΩ SiC MOSFET
安建半导体推出全新150V SGT MOSFET产品平台
工商网监
评论