三星电子开始量产其首款3nm Gate All Around工艺的片上系统

据外媒报道，三星电子已开始量产其首款3nm Gate All Around（GAA）工艺的片上系统（SoC），预计该芯片预计将用于Galaxy S25系列。

据悉，这款高性能移动芯片包括CPU、GPU和Synopsis的多个IP块。

据报道，三星使用Synopsys.aiEDA软件来提高芯片性能和产量。

此外，工程师还使用Synopsys Fusion Compiler（电子设计自动化工具）来实现更高的性能、更低的功耗并优化芯片面积。

三星和Synopsis声称，后者的设计自动化工具有助于将芯片的频率提高300MHz，同时将功耗降低10%。

这些工具包括设计分区优化、多源时钟树综合（MSCTS）、智能线优化和更简单的分层方法。

三星以前生产的芯片在持续使用情况下，常常会出现耗电量大和性能下降的问题，如今三星推出的GAA技术，有望解决这类问题。

审核编辑：刘清