总投资200亿元，武汉长飞先进半导体基地项目迎来新进展

据中建一局官微消息，近日，国内最大的SIC功率半导体制造基地——武汉长飞先进半导体基地项目成功完成首榀桁架吊装，标志着项目钢结构施工全面展开，助力武汉打造世界级化合物半导体产业高地。

据悉，长飞先进武汉基地项目位于湖北省武汉市，总投资200亿元。其中，一期已于2023年9月开工，预计今年6月封顶，2025年上半年形成产能。完工后将成为国内碳化硅产能前列，集产品设计、外延生长、晶圆制造、封装测试于一体，且全智能化的世界一流碳化硅器件制造标杆工厂。建成后预计年产6英寸碳化硅MOSFET及晶圆36万片、功率器件模块6100万个，将广泛覆盖新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。

长飞先进董事长庄丹曾表示，该项目建成后，将促进设备、材料、设计、制造、封装、测试等产业链上下游通力合作，吸引世界级碳化硅半导体高端人才来武汉就业创业，助力形成创新活跃、要素齐全、开放协同的产业生态。

审核编辑 黄宇