北一半导体完成B+轮1.5亿元融资，加快SiC MOSFET技术研发
5月8日，北一半导体科技（广东）有限公司（以下简称“北一半导体”）宣布其成功完成了B+轮融资。本轮融资资金将主要用于SiC MOSFET技术的进一步研发，以及产线的升级与扩建。
据悉，本轮融资由上海吾同私募基金管理有限公司领投，预计本轮融资总额将达到1.5亿元。其中，1亿元资金已经到位，另有5000万元投资金额在结尾工作中。
北一半导体表示，本轮融资主要用于sic mosfet技术的进一步研发，以及产线的升级与扩建。一方面，通过加大研发投入，加快技术创新的步伐，提升sic mosfet的性能指标和生产效率；另一方面，通过产线的升级与扩建，提高生产规模，满足市场需求，推动sic mosfet的产业化进程。这些举措不仅有助于提升北一半导体的核心竞争力，也将为整个半导体产业的发展注入新的动力。这一里程碑式的成就，不仅为北一半导体的持续健康发展注入了新的活力，更昭示着其在第三代半导体材料——碳化硅（sic）金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）研发和产业化道路上的坚定步伐。
据了解，去年5月，北一半导体完成了超1.5亿元的B轮融资。本轮融资由基石资本领投，同时参与资本方包括联通中金、青岛玉颉。融资资金将用于以IGBT及SiC为代表的高端功率半导体芯片及模块产品的开发。
产品进展方面，2023年11月，北一半导体双面散热模块（DSC）试制成功。经过不断的工艺和模具优化以及可靠性考核，今年3月，北一半导体750V等级IGBT模块及1200V等级SiC模块具备量产能力，封装良率超过行业水平。
据悉，开发的SiC模块采用单面散热结构，封装形式涵盖HPSS1、HPSS2 及HPSS3，IGBT模块采用双面散热结构，封装形式涵盖HPDS1、HPDS2 及HPDS3。功率端子位置及定义的差异满足不同电机控制器客户设计要求，实现了和国际一线厂商的直接替换。
应用测试表明，模块在《GB-T18488 电动汽车用电机及其控制器》中要求的额定及极限工况测试中输出特性及温升表现良好，未出现失效现象。
基于既有的双面散热模块产品设计及工艺平台，北一半导体同时可提供定制化开发服务，可依据客户电压、电流、拓扑、端子位置及尺寸等要求进行定制化产品开发，满足客户新能源汽车电机控制器小型化、高效化及轻量化的发展需求。
产能项目方面，今年1月，北一半导体总投资20亿元的晶圆工厂和总投资2亿元分立器件生产加工两个项目签约落户牡丹江穆棱经济开发区。今年4月，总投资20亿元的北一半导体晶圆工厂项目在穆棱功率半导体产业园正式开工。
据透露，项目一期占地2.7万平方米、建筑面积3万平方米，新上国际先进6英寸晶圆生产线，产值超10亿元。据相关负责人介绍，到2025年年底，北一半导体晶圆工厂项目将实现竣工投产，项目达产后年可生产6英寸晶圆100万片。产品应用于变频器、UPS、工业控制、新能源汽车、充电桩等领域。
此外，功率半导体产业园分立器件生产加工项目新上分立器件生产线，引进塑封机、测试机、焊线机等进口设备，采用世界领先工艺，产品主要为北一半导体自身企业配套及国内市场销售，应用领域为光伏、储能、新能源汽车、充电桩等。
审核编辑：刘清
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原文标题：北一半导体完成B+轮1.5亿元融资，加快SiC MOSFET技术研发及产线扩建
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