台积电在近期举行的技术研讨会上宣布,其3纳米工艺节点现已正式开始运营。据悉,N3P节点有望在2024年下半年进入批量生产阶段。
在N3P上,公司利用之前的N3E工艺节点进行优化升级,以提升整体能效及晶体管密度。据介绍,N3E工艺节点的良率已达到与5纳米成熟工艺相当的水平。
值得一提的是,台积电高层透露,N3P工艺目前已通过质量验证,良品率已逼近N3E。由于N3P采用了光学微缩技术,在IP模块、设计规则、EDA工具等方面均与N3E保持高度兼容性,因此公司表示整个过渡过程十分顺畅。
N3P的主要优点在于其强大的增强规格。相较于N3E,芯片设计师可预期在同等功耗下性能提升约4%,或者在匹配时钟下功耗降低约9%。此外,N3P还将晶体管密度提升了4%,这对包含逻辑、SRAM以及vwin 元件在内的典型芯片设计具有重要意义。
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