三星HBM芯片遇阻英伟达测试-德赢Vwin官网网

三星HBM芯片遇阻英伟达测试

近日，三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片在英伟达测试中遭遇挫折。据知情人士透露，芯片因发热和功耗问题未能达标，影响到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。

HBM3芯片作为当前AI GPU中最常用的第四代HBM标准，此次测试失败无疑给三星带来了不小的压力。三星在声明中表示，HBM作为定制产品，会根据客户需求进行优化，并强调正在与客户紧密合作，以期尽快解决问题。

然而，此次测试未达标无疑增加了业界和投资者的担忧。有分析认为，三星在HBM领域可能进一步落后于竞争对手SK海力士和美光。如何迅速解决发热和功耗问题，成为三星当前面临的重大挑战。

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