甬矽电子高密度SiP技术革新5G射频模组
甬矽电子，一家致力于技术革新的企业，近日在高密度SiP技术领域取得重大突破，为5G射频模组的开发和量产注入了新动力。
公司成功研发出先进的双面SiP（DSM-BGA SiP）技术，将传统XY平面的芯片与元器件集成技术提升至Z方向，实现了SiP模组芯片、元器件、射频器件的双面高密度集成整合封装。这一创新技术不仅有效减小了模块体积，更赋予了模组更完善的功能性。
甬矽电子始终坚持研发及技术创新，不断在工艺上寻求突破。此次双面SiP技术的成功研发，正是公司技术实力的体现。随着5G技术的快速发展，甬矽电子的这项创新技术将助力5G射频模组实现更高效、更紧凑的设计，开启数智新时代的新篇章。
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