北京铭镓半导体引领氧化镓材料创新，实现产业化新突破
北京顺义园内的北京铭镓半导体有限公司在超宽禁带半导体氧化镓材料的开发及应用产业化方面取得了显著进展，其技术已领先国际同类产品标准。
据北京顺义公众号报道，铭镓半导体董事长陈政委表示，该公司在半绝缘型（010）铁掺衬底及其与导电型薄膜外延的整合技术上实现了重要突破。目前，国际市场上该类产品普遍能达到25毫米×25毫米的尺寸，而铭镓半导体已成功将尺寸提升至40毫米×25毫米，这一成就不仅展现了其技术的先进性，也为其在市场竞争中赢得了显著优势。
值得注意的是，铭镓半导体不仅实现了尺寸的突破，还能稳定生产多炉并累积一定库存，这进一步证明了其在超宽禁带半导体氧化镓材料生产方面的成熟技术和高效能力。这一成就的取得，无疑将加速超宽禁带半导体氧化镓材料在更多领域的应用，推动相关产业的持续发展。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网
网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
334文章
27286浏览量
218028 -
氧化镓
+关注
关注
5文章
74浏览量
10267
发布评论请先 登录
相关推荐
第三代半导体氮化镓(GaN)基础知识
的应用领域，在科技界掀起了一阵热潮。 氮化镓是什么？氮化镓可以被看作是一种新型的半导体材料，它由镓（Gallium）和氮（Nitrogen）
远山半导体氮化镓功率器件的耐高压测试
氮化镓（GaN），作为一种具有独特物理和化学性质的半导体材料，近年来在电子领域大放异彩，其制成的氮化镓功率芯片在功率转换效率、开关速度及耐高温等方面优势尽显，在5G通信、新能源汽车、数
“鑫威源”实现高性能氮化镓激光芯片研制及产线通线试产
此次通线试产的成功，不仅展示了武汉鑫威源在氮化镓激光芯片技术领域的强大实力，也标志着企业在实现国产氮化镓半导体激光器产业化方面迈出了关键一步
氮化镓和砷化镓哪个先进
氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）都是半导体材料领域的重要成员，它们在各自的应用领域中都展现出了卓越的性能。然而，要判断哪个更先进，并不是
氮化镓(GaN)功率半导体市场风起云涌,引领技术革新与产业升级
自去年以来，氮化镓（GaN）功率半导体市场持续升温，成为半导体行业的焦点。英飞凌、瑞萨电子、格芯等业界巨头纷纷通过并购GaN技术公司，加速在这一领域的布局，旨在强化技术储备并抢占市场先机。随着快充
镓仁半导体完成近亿元Pre-A轮融资
杭州镓仁半导体有限公司近日宣布成功完成近亿元的Pre-A轮融资，同时与杭州银行达成重要战略合作。本轮融资由九智资本领投，普华资本鼎力参与，彰显了资本市场对镓仁半导体在宽禁带
苏州迈姆思与杭州镓仁签订先进半导体氧化镓晶圆键合领域战略合作协议
进半导体氧化镓晶圆键合领域展开深度合作。 本次战略合作协议的签订，彰显了双方对未来半导体技术发展趋势的共同追求，亦将为“三代半”和“四代半”材料
氧化镓器件，高压电力电子的未来之星
超宽带隙(UWBG)半导体相比si和宽带隙材料如SiC和GaN具有更优越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化
镓未来TOLL&TOLT封装氮化镓功率器件助力超高效率钛金能效技术平台
珠海镓未来科技有限公司是行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与产业化。
氮化镓是什么结构的材料
氮化镓（GaN）是一种重要的宽禁带半导体材料，其结构具有许多独特的性质和应用。本文将详细介绍氮化镓的结构、制备方法、物理性质和应用领域。 结构： 氮化
氮化镓半导体芯片和芯片区别
氮化镓半导体芯片（GaN芯片）和传统的硅半导体芯片在组成材料、性能特点、应用领域等方面存在着明显的区别。本文将从这几个方面进行详细介绍。 首先，氮化
氮化镓半导体和碳化硅半导体的区别
氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料，在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种
工商网监
评论