8英寸SiC投产进展加速，2025年上量
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）闻泰科技旗下安世半导体近日宣布，计划投资2亿美元研发下一代宽禁带半导体产品，包括SiC和GaN。与此同时，安世半导体的第一条高压D-Mode GaN晶体管和SiC二极管生产线已经在2024年6月投入使用，下一个目标是未来两年在德国汉堡工厂里建设8英寸的SiC MOSFET和低压GaN HEMT产线。
虽然8英寸SiC当前产能在整个市场中占比并不高，不过作为降低SiC成本的重要技术路线，最近又有了不少新的进展。
8英寸产线逐步投产，龙头老大产能攀升里程碑
8英寸SiC自2022年Wolfspeed宣布启用在纽约州莫霍克谷的全球首座8英寸SiC晶圆厂后，2年时间里，几乎都只有Wolfspeed实现了8英寸SiC晶圆的规模量产。
由于晶圆尺寸的扩大，需要产业链上下游紧密配合，包括衬底、外延、晶圆制造等工序，都需要对产线进行改造，或是新建适用8英寸晶圆的产线。而产业链上下游有一部分出现了节奏跟不上，就会对整体产品的落地进展造成影响。
不过今年以来，8英寸SiC产能落地速度正在加快。包括在衬底方面，天岳先进在4月举行的2023年年度业绩说明会上透露，公司8英寸SiC衬底产品实现了批量化销售；另外，根据目前公开信息，烁科晶体、晶盛机电、天科合达、同光股份等也已经实现了8英寸SiC衬底小批量生产。
8英寸外延片方面，天域半导体、瀚天天成、百识电子都已经具备8英寸SiC外延片的供应能力。
晶圆制造产线需要配合上游衬底的量产节点来推进。而当前8英寸SiC衬底和外延片已经开始出货后，自然晶圆制造端的产能也开始逐渐加速落地。
近期芯联集成就宣布8英寸SiC工程批顺利下线，成为了国内首家开启8英寸SiC制造的晶圆厂。
三安半导体在近期的一场论坛上也表示，目前多家主流的衬底和外延供应商已经完成了8英寸SiC的研发和试量产，三安在长沙拥有一条从粉料到长晶-衬底-外延-芯片-封测的SiC全产业链产线，今年将实现通线。
南砂晶圆在今年3月表示，正在积极扩产并计划将中晶芯源项目打造成为全国最大的8英寸SiC衬底生产基地，预计在2025年实现满产达产。
就在6月18日，士兰微旗下士兰集宏半导体的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目也正式开工，该产线将以SiC MOSFET为主要产品，计划投资120亿元，总产能规模达到6万片/月，预计在2025年三季度末实现初步通线。
比亚迪品牌及公关处总经理李云飞在6月还透露，比亚迪新建碳化硅工厂将成为行业最大的工厂，该工厂将会在今年下半年投产，产能规模全球第一，是第二名的十倍。
而作为最早量产8英寸SiC衬底和晶圆的Wolfspeed，最近也公布了自己的新进展。Wolfspeed在官方渠道上宣布莫霍克谷碳化硅芯片工厂已经实现了 20% 晶圆启动利用率，同时公司的Building 10SiC材料工厂已经达成其200mm SiC衬底产能，将可以支持莫霍克谷工厂在 2024自然年底实现约25%晶圆启动利用率。这也意味着目前Wolfspeed的SiC晶圆厂产能限制一部分是来自衬底供应，Wolfspeed 计划在8月份公布2024财年第四季度业绩期间，向市场更新莫霍克谷工厂的下一个利用率里程碑。
SiC应用落地持续扩张
SiC最大的应用市场毫无疑问是电动汽车，为了更快的充电速度、更强的驱动性能、更低的能耗，电动汽车的母线电压正在从400V往800V发展，SiC器件在汽车800V平台中起到了关键作用。
不过除了汽车之外，在SiC厂商的推动下，SiC器件也在持续拓展更多新的应用。比如在光储系统中，系统电压呈现持续升高的态势，从600V到1000V，再到目前常见的1500V，光储系统基本已经实现了从1000V到1500V的切换。这种变化，带来的是降低整体系统成本，储能系统初始投资成本可以降低10%以上。
在2024年的初月，英飞凌科技推出了一系列新款2000V碳化硅MOSFET产品，型号定为IMYH200R。这些元件采用先进的TO-247PLUS-4-HCC封装，具备多种规格，包括12mΩ、24mΩ、50mΩ、75mΩ、100mΩ等。在严格的高压和频繁开关应用环境下，它们展现出卓越的功率密度，同时确保系统的稳定性不受影响。这些器件完美适配高达1500V直流电压的母线系统，如组串式逆变器、光伏储能设备以及充电桩等，有效提升整体能效。
英飞凌宣表示这是业内首次推出的能承受2000V阻断电压的独立式SiC MOSFET产品。与1700V的同类产品相比，2000V SiC MOSFET在处理1500V直流系统过压情况时，提供了更大的安全边际。以IMYH200R012M1H为例，该型号能在-55℃至178℃的温度范围内稳定工作，在25℃时能承载高达123A的电流，最大总功率损耗为552W，导通电阻仅为12mΩ，并且具有极低的开关损耗。
国内厂商方面，泰科天润在去年的慕尼黑上海电子展上展出了2000V系列的SiC MOSFET单管产品，适用于1500V光伏系统，但未有详细的参数公布。
基本半导体在去年10月发布了第二代SiC MOSFET平台，并表示将推出2000V 24mΩ规格的SiC MOSFET系列产品，并开发了2000V 40A规格的SiC SBD进行配套使用，不过目前还未有相关器件的详细信息公布。
这些创新产品的问世，预示着光伏储能行业正迈向更高电压和更高效率的新纪元。2000V SiC MOSFET的推出，不仅有助于减少系统损耗，提高功率密度，还能在基础建设、设备运输和运维成本方面带来显著节约。随着技术进步和市场需求的不断增长，预计未来会有更多2000V SiC MOSFET产品投入市场，进一步促进高压光伏储能系统的发展。
小结：
SiC还有非常多待开发的应用场景，比如近年大热的AI数据中心中，服务器电源就已经有一些采用SiC MOSFET的方案出现。而8英寸SiC的产能逐步落地，将会进一步加速SiC的降本节奏，也同时将SiC的市场进一步做大。
虽然8英寸SiC当前产能在整个市场中占比并不高，不过作为降低SiC成本的重要技术路线，最近又有了不少新的进展。
8英寸产线逐步投产，龙头老大产能攀升里程碑
8英寸SiC自2022年Wolfspeed宣布启用在纽约州莫霍克谷的全球首座8英寸SiC晶圆厂后，2年时间里，几乎都只有Wolfspeed实现了8英寸SiC晶圆的规模量产。
由于晶圆尺寸的扩大，需要产业链上下游紧密配合，包括衬底、外延、晶圆制造等工序，都需要对产线进行改造，或是新建适用8英寸晶圆的产线。而产业链上下游有一部分出现了节奏跟不上，就会对整体产品的落地进展造成影响。
不过今年以来，8英寸SiC产能落地速度正在加快。包括在衬底方面，天岳先进在4月举行的2023年年度业绩说明会上透露，公司8英寸SiC衬底产品实现了批量化销售；另外，根据目前公开信息，烁科晶体、晶盛机电、天科合达、同光股份等也已经实现了8英寸SiC衬底小批量生产。
8英寸外延片方面，天域半导体、瀚天天成、百识电子都已经具备8英寸SiC外延片的供应能力。
晶圆制造产线需要配合上游衬底的量产节点来推进。而当前8英寸SiC衬底和外延片已经开始出货后，自然晶圆制造端的产能也开始逐渐加速落地。
近期芯联集成就宣布8英寸SiC工程批顺利下线，成为了国内首家开启8英寸SiC制造的晶圆厂。
三安半导体在近期的一场论坛上也表示，目前多家主流的衬底和外延供应商已经完成了8英寸SiC的研发和试量产，三安在长沙拥有一条从粉料到长晶-衬底-外延-芯片-封测的SiC全产业链产线，今年将实现通线。
南砂晶圆在今年3月表示，正在积极扩产并计划将中晶芯源项目打造成为全国最大的8英寸SiC衬底生产基地，预计在2025年实现满产达产。
就在6月18日，士兰微旗下士兰集宏半导体的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目也正式开工，该产线将以SiC MOSFET为主要产品，计划投资120亿元，总产能规模达到6万片/月，预计在2025年三季度末实现初步通线。
比亚迪品牌及公关处总经理李云飞在6月还透露，比亚迪新建碳化硅工厂将成为行业最大的工厂，该工厂将会在今年下半年投产，产能规模全球第一，是第二名的十倍。
而作为最早量产8英寸SiC衬底和晶圆的Wolfspeed，最近也公布了自己的新进展。Wolfspeed在官方渠道上宣布莫霍克谷碳化硅芯片工厂已经实现了 20% 晶圆启动利用率，同时公司的Building 10SiC材料工厂已经达成其200mm SiC衬底产能，将可以支持莫霍克谷工厂在 2024自然年底实现约25%晶圆启动利用率。这也意味着目前Wolfspeed的SiC晶圆厂产能限制一部分是来自衬底供应，Wolfspeed 计划在8月份公布2024财年第四季度业绩期间，向市场更新莫霍克谷工厂的下一个利用率里程碑。
SiC应用落地持续扩张
SiC最大的应用市场毫无疑问是电动汽车，为了更快的充电速度、更强的驱动性能、更低的能耗，电动汽车的母线电压正在从400V往800V发展，SiC器件在汽车800V平台中起到了关键作用。
不过除了汽车之外，在SiC厂商的推动下，SiC器件也在持续拓展更多新的应用。比如在光储系统中，系统电压呈现持续升高的态势，从600V到1000V，再到目前常见的1500V，光储系统基本已经实现了从1000V到1500V的切换。这种变化，带来的是降低整体系统成本，储能系统初始投资成本可以降低10%以上。
在2024年的初月，英飞凌科技推出了一系列新款2000V碳化硅MOSFET产品，型号定为IMYH200R。这些元件采用先进的TO-247PLUS-4-HCC封装，具备多种规格，包括12mΩ、24mΩ、50mΩ、75mΩ、100mΩ等。在严格的高压和频繁开关应用环境下，它们展现出卓越的功率密度，同时确保系统的稳定性不受影响。这些器件完美适配高达1500V直流电压的母线系统，如组串式逆变器、光伏储能设备以及充电桩等，有效提升整体能效。
英飞凌宣表示这是业内首次推出的能承受2000V阻断电压的独立式SiC MOSFET产品。与1700V的同类产品相比，2000V SiC MOSFET在处理1500V直流系统过压情况时，提供了更大的安全边际。以IMYH200R012M1H为例，该型号能在-55℃至178℃的温度范围内稳定工作，在25℃时能承载高达123A的电流，最大总功率损耗为552W，导通电阻仅为12mΩ，并且具有极低的开关损耗。
国内厂商方面，泰科天润在去年的慕尼黑上海电子展上展出了2000V系列的SiC MOSFET单管产品，适用于1500V光伏系统，但未有详细的参数公布。
基本半导体在去年10月发布了第二代SiC MOSFET平台，并表示将推出2000V 24mΩ规格的SiC MOSFET系列产品，并开发了2000V 40A规格的SiC SBD进行配套使用，不过目前还未有相关器件的详细信息公布。
这些创新产品的问世，预示着光伏储能行业正迈向更高电压和更高效率的新纪元。2000V SiC MOSFET的推出，不仅有助于减少系统损耗，提高功率密度，还能在基础建设、设备运输和运维成本方面带来显著节约。随着技术进步和市场需求的不断增长，预计未来会有更多2000V SiC MOSFET产品投入市场，进一步促进高压光伏储能系统的发展。
小结：
SiC还有非常多待开发的应用场景，比如近年大热的AI数据中心中，服务器电源就已经有一些采用SiC MOSFET的方案出现。而8英寸SiC的产能逐步落地，将会进一步加速SiC的降本节奏，也同时将SiC的市场进一步做大。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网
网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
功率器件
+关注
关注
41文章
1758浏览量
90413 -
SiC
+关注
关注
29文章
2804浏览量
62600 -
宽禁带半导体
+关注
关注
0文章
91浏览量
8083 -
8英寸晶圆
+关注
关注
0文章
10浏览量
4124
发布评论请先 登录
相关推荐
全球最大碳化硅工厂头衔易主？又有新8英寸碳化硅产线投产！
，同时也涵盖部分氮化镓外延生产。 进入2024年下半年，在过去几年时间里全球各地投资的8英寸碳化硅产线也开始逐步落地投入使用，在英飞凌之外，近期三安半导体、安森美等也有8
天域半导体8英寸SiC晶圆制备与外延应用
碳化硅（SiC）是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料之一，近20年来随着SiC材料加工技术的不断提升，其应用领域不断扩大。目前SiC芯片的制备仍然以6
方正微电子:2025年车规SiC MOS年产能将达16.8万片
年底将增至1.4万片/月，并在2025年具备年产16.8万片车规级SiC MOS的生产能力。同时，GaN（氮化镓）产能已达4000片/月。此外，方正微电子还计划在2024
又一企业官宣已成功制备8英寸SiC晶圆
近日，日本碍子株式会(NGK，下文简称日本碍子)在其官网宣布，已成功制备出直径为8英寸的SiC晶圆，并表示公司将于本月低在美国ICSCRM 2024展示8
万年芯：三代半企业提速，碳化硅跑步进入8英寸时代
碳化硅晶圆市场。在江西万年芯看来，这一趋势预示着半导体行业即将迎来新一轮的技术革新和市场扩张。“8英寸”扩大产能据权威预测，到2029年SiC
增芯科技12英寸晶圆制造项目投产启动，内含国内首条12英寸MEMS智能传感器晶圆生产线
| 项目一期产能预计2025年底达到2万片／月 2024年6月28日，增芯科技12英寸晶圆制造项目在广州增城投产启动，该项目建设有国内首条、
发表于 07-02 14:28
•546次阅读
中国首条12英寸MEMS量产线今天投产！5年370亿两座晶圆厂12万片每月！
Flag完成！从动土开工到投产，18个月搞定！中国首条12英寸MEMS量产线！5年投资370亿，两座晶圆厂，12万片/月产能！ 今天（6月28日），广州增芯科技有限公司12英寸先进智能
全球掀起8英寸SiC投资热潮，半导体产业迎来新一轮技术升级
随着全球半导体产业的快速发展，碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而备受瞩目。近期，8英寸SiC晶圆投资热潮更是席卷全球，各大半导体厂商纷纷加大投入，积极布局这一新兴产业。
国内8英寸SiC工程片下线！降本节奏加速
制造等产线扩张；另一部分是源自过去十多年时间里，SiC衬底尺寸从4英寸完全过渡至6英寸，加上良率的提升。 更大的衬底尺寸，意味着单片SiC晶圆所能够制造的芯片数量更多，晶圆边缘的浪
韩国首座8英寸SiC晶圆厂开建
韩国半导体产业迎来新里程碑。韩国贸易、工业和能源部近日宣布，本土半导体制造商EYEQ Lab在釜山功率半导体元件和材料特区正式开工建设韩国首座8英寸碳化硅（SiC）功率半导体工厂。该项目于5日上午举行了隆重的奠基仪式。
杭州士兰与厦门半导体等联手投资8英寸SiC功率器件项目
本次合作四方预计将在位于厦门市海沧区的厦门士兰集宏半导体有限公司进行合资运营，主要目的是建造一座每月能生产6万片以SiC-MOSEFET为主导产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。
新质生产力赋能高质量发展，青禾晶元突破8英寸SiC键合衬底制备！
4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通过技术创新，在SiC键合衬底的研发上取得重要进展，在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底。
Wolfspeed, ZF推迟至2025年的8英寸SiC晶圆厂建设计划
据悉，该座选址在萨尔州恩斯多夫的8英寸SiC晶圆厂计划由沃尔弗斯普莱特负责筹备，耗资约27.5亿欧元（约等于215亿人民币），同时得到德国联邦政府以及萨尔州政府的共计4.1亿欧元（约等于28亿人民币）资助。
8英寸SiC衬底阵容加速发展 全球8英寸SiC晶圆厂将达11座
近年来，随着碳化硅（SiC）衬底需求的持续激增，降低SiC成本的呼声日益强烈，最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本在整个成本结构中占比最高，达到50%左右。
工商网监
评论