更低损耗、更快反向保护！思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q
聚焦高性能vwin 芯片和嵌入式处理器的半导体供应商思瑞浦3PEAK（股票代码：688536）发布汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q。
TPS65R01Q拥有20mV正向调节功能，降低系统损耗。快速反向关断（Typ：0.39μs），在电池反向和各种汽车电气瞬变条件下提供保护。
TPS65R01Q可广泛应用于工业控制、企业电源、汽车主机、ADAS、仪表盘、HUD等多个终端场景。
TPS65R01Q产品优势
电池反向保护、快速关断、零直流反向电流
电源系统设计中，直接使用电池供电的模块或子系统，在感性负载与电池断开连接期间出现动态反极性或电池安装过程中出现反接时，会导致连接的模块、子系统电路遭到损坏。
TPS65R01具有电池反向保护功能，可承受最大-65V的反向电压，有效保护与电池相连接的模块和子系统。
反向保护延时：Trev_Delay（380ns）
Trev_Delay VS Temp
降低正向功耗
传统的串联肖特基二极管虽然能够提供反向电压保护，但当负载电流增加时，二极管的结温会显著升高，这不仅会加剧热问题，还可能因高温导致反向漏电流上升，进而影响整个系统的稳定性。因此，热管理在系统设计中显得尤为重要。
TPS65R01Q具备20mV正向调节功能，相比于肖特基二极管的VF值（0.3V左右@1A），TPS65R01Q的正向电压更低，这意味着在相同条件下，热损耗显著减少。这种改进不仅提升了系统的可靠性，还有助于降低系统设计和运行的成本。
低静态功耗
TPS65R01Q常温下正常工作电流典型值60μA，全温度范围内不超过100μA。
更好的冷启动性能
在汽车冷启动期间，电池电压会降低到4V左右，在这种情况下，使用PMOS（P型金属氧化物半导体）方案可能会导致PMOS的沟道电阻急剧增加，从而在PMOS两端产生较大的电压降，这可能会引起断路，导致系统重新启动。
TPS65R01具有出色的冷启动性能，即使在冷启动运行期间输入电压低于4V（仍高于3.2V）时，也能确保外部NMOS保持完全增强状态。
Vin从12V降到3.5VTPS65R01正向调节功能正常
ORing电源平滑切换
下图展示了在双电源配置中，当 VIN1 固定在12V，而 VIN2 在4V至60V之间进行动态切换时，系统能够实现从 VIN1 到 VIN2 的平滑切换，确保输出在切换过程中保持稳定。
VIN1 @12V，VIN2 @4V to 60V
TPS65R01Q典型应用
单电源应用
双电源应用
TPS65R01Q产品特性
宽输入电压：3.2V-60V
最大-65V的反向电压承受能力
正向调制电压：20mV
反向关断电压：-11mV
最大关断电流：2.3A
反向关断延时：390ns
正向恢复延时：1.5μs
支持多颗NMOS并联
温度范围：-40℃ to 125℃
封装：SOT23-6
TPS65R01Q双电源EVM Board
-
二极管
+关注
关注
147文章
9627浏览量
166307 -
控制器
+关注
关注
112文章
16332浏览量
177803 -
思瑞浦
+关注
关注
1文章
127浏览量
8246
发布评论请先 登录
相关推荐
LM74721EVM：LM74721-Q1理想二极管控制器评估模块
LM74704Q1EVM、LM74703-Q1、LM74704-Q1理想二极管控制器评估模块
二极管的反向恢复损耗定义
MPS MPQ5850智能二极管控制器的独特优势
华太电子理想二极管在防反接保护电路、ORing中的应用
AMEYA360：思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q
思瑞浦发布汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q
无TVS汽车电池反向保护理想二极管控制器LM74701-Q1数据表
具有负载突降保护功能的LM7480-Q1理想二极管控制器数据表
具有有源整流和负载突降保护功能的LM7481-Q1理想二极管控制器数据表
具有有源整流特性的无TVS低IQ汽车类反向电池保护理想二极管控制器LM74721-Q1数据表
具有故障输出及过压、欠压和短路保护功能的汽车类理想二极管控制器LM74912-Q1数据表
汽车类低IQ电池反向保护理想二极管控制器LM74700D-Q1数据表
工商网监
评论