SDRAM中的active命令介绍
在向SDRAM 中的任何行发出 READ或 WRITE 命令之前，必须先打开该行。这是通过 ACTIVE 命令完成的。ACTIVE 命令的目的是打开或者说激活（active）bank中的一行并将数据从 DRAM 移动到bank的灵敏放大器。下图说明了 ACTIVE 命令的执行情况。
来自地址总线的地址 A11-A0存储在所选bank的行地址锁存器和译码器中。地址位BA选择bank及其行地址锁存器和解码器。
然后，将整个数据行读入灵敏放大器中。与 DRAM 类似，与ACTIVE 命令相关的两个timing是:行地址到列地址延迟 (tRCD)和行有效时间 tRAS。
tRCD是激活命令将数据从DRAM单元阵列移动到保持整个数据行的感测放大器所需的时间。在tRCD之后，可以发出某列读或写访问命令，通过输入/输出buffer和数据总线在感测放大器和内存控制器之间移动数据 。
行地址到列地址延迟tRCD,应除以时钟周期，向上取整到最接近的整数，以确定ACTIVE命令后读写的最早时钟边沿。例如，具有125 MHz 时钟(周期为8纳秒)，20 纳秒的tRCD产生2.5 个时钟周期,四舍五入为 3。
向同一rank中不同行发出的ACTIVE 命令只能在先前激活的行被预充电后发出。
行激活时间，tRAS，是必须经过的最小时间,这之后才能向打开的行发出PRECHARGE命令。所以，tRAS也称为作为激活到预充电时间。
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