SemiQ将S7封装添加至其QSiC™高性能功率模块系列-德赢Vwin官网网

SemiQ公司在其QSiC™系列SiC功率模块中新增了一种S7封装，该系列模块包括1200V的半桥MOSFET和肖特基二极管模块。这些组件为电力工程师提供了更大的设计灵活性，能够为新设计提供紧凑、高效和高性能的选择。同时，它们也便于无缝替换那些需要提升效率的旧系统。

此次公告包括四个新电子模块的发布：一个529A MOSFET模块(GCMX003A120S7B1)，一个348A MOSFET模块(GCMX005A120S7B1)，以及两个低噪声的SiC肖特基二极管半桥模块(GHXS300A120S7D5和GHXS400A120S7D5)。这些模块采用S7封装，具有行业标准的62.0毫米底座面积和17.0毫米高度。

新封装满足了各种苛刻应用在尺寸、重量和功率方面的特定需求，包括感应加热器、焊接设备、不间断电源(UPS)、光伏和风能逆变器、能源存储系统、高压 DC-DC转换器以及电动汽车(EV)充电系统。除了模块体积小巧外，其高效率和低损耗的运行也有效地减少了系统中的热量散发，从而使得使用更小的散热器成为可能。

SemiQ的目标是提供广泛的SiC技术，使设计人员能够提升当前苛刻应用的效率、性能和尺寸。新增的1200V QSiC MOSFET和SiC二极管模块系列的封装选项拓宽了设计人员在开发新应用或提升现有系统时的选择，而无需进行大规模重新设计。

SemiQ的模块采用高性能陶瓷制造，使其能够达到卓越的性能水平。这些模块还提供了更高的功率密度，并在高频和高功率环境下实现更紧凑的设计。

为了确保每个模块具备一致的栅极阈值电压和高质量的栅氧化层，SemiQ在晶圆级进行栅极烧灼测试。除了烧灼测试以降低外部故障率外，还进行了多项压力测试，以达到汽车和工业应用所需的质量标准。这些压力测试包括栅极压力测试、高温反向偏置(HTRB)漏极压力测试，以及高湿、高电压、高温(H3TRB)测试。所有组件的测试电压均超过1400伏特。

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