1 高压MOSFET功率器件4A-500V N沟道MOSFET半导体提供平面条纹和DMOS技术-德赢Vwin官网 网
0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

高压MOSFET功率器件4A-500V N沟道MOSFET半导体提供平面条纹和DMOS技术

Lemon 来源:jf_80856167 作者:jf_80856167 2024-08-21 18:07 次阅读

高压MOS管通常需要较大的栅极电压,以使MOS管可以承受高电压和高电流。高压MOS管的沟道区宽、漏极区大、栅极采用特殊工艺,这些特点使得它的管子能够承受高电压。高压MOS管可用于高压电路,具有高电压承受能力和低开关损耗,因此在高压电路中得到了广泛应用。深圳市华芯邦科技有限公司经典且常用的高压MOS管已经被广泛应用在开关电源开关稳压器电机驱动器产品上,采用先进技术的N沟道模式功率MOSFET,为客户提供平面条纹和 DMOS技术。该技术实现了最低的导通电阻和卓越的开关性能。它还可以承受雪崩和换向模式下的高能脉冲,4N50通常应用于高效开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

wKgZombFtYqAK5BwAAH7APE1Q00466.png

作为一种高压MOSFET,不止4N50,4N60也具有更好的产品特性,如开关时间快,栅极低充电,低导通状态电阻和具有高崎岖雪崩、耐用等特征,这些特点在开关、稳压电路等上具有重要作用。4N60可以在相对高压情况下保持稳定地工作,这对于高压应用非常重要,这种功率的MOS管子通常应用在开关电源、PWM电机控制、开关转换器、高效的DC-DC转换器、开关稳压器、电机驱动器、继电器驱动器和桥接电路等上面。 比如,在智能家电应用之高压吹风机和智能高压锅等产品上,这款产品的漏极-源极击穿电压高达600V,4A的正向电流,具有高温工作能力,高效率、稳定、宽温、安全等特点使得它在这类高压应用上大有可为,在具体的开关电路、电机驱动电路上起到关键作用。4N60在开关电源应用上,由于它能够承受较高的电压,具有较小的导通电阻,它能够在高压开关电源上起到高效开关和稳压作用。

产品应用领域:1、电子镇流器500V-MOS管,4N50于节能灯电子镇流器。

2、27瓦荧光灯电源MOS管,4N50用于节能灯电源模组。

3、节能灯开关电源500V高压MOS管

其他领域:LED灯,节能灯个人电脑电源辅助系统电视机,业晶电视手机,MP3/PDA数码相机,DVD,机顶盒,交换机传真机,打印机...等等

华芯邦科技HOTCHIP系列高压MOSFET因其卓越的电气特性,在众多领域显得尤为重要。这些MOSFET特别设计以实现快速的开关时间和低栅极充电,同时具有低导通状态电阻,确保设备在高效运行时的能耗最小化。更为重要的是,他们可以承受高压冲击,具有良好的耐雪崩性能,使其在复杂且变化无常的电气环境中,仍能保持可靠性和稳定性。这些特性使得华芯邦高压MOSFET在开关电源、PWM电机控制、开关转换器、高效率DC-DC转换器、开关稳压器、电机驱动器、继电器驱动器和桥接电路等应用中非常适用,为各种高压应用提供了理想的电源管理解决方案。这些技术的进步不断推动着工业自动化和电子制造业的发展,使华芯邦在全球范围内受到青睐。

以下是部分高压HV MOS系列型号:HWM1N50D HWM1N50DS HWM1N50C1 HWM1N50CS HWM1N50B1 HWM1N50BS HWM2N50A1 HWM2N50AS HWM3N50B HWM3N50BS HWM3N50A1 HWM4N50A1 HWM4N50AS HWM2N60B1 HWM2N60A HWM3N60A1 HWM3N60 HWM1N50A HWM1N50B2 HWM1N50C2 HWM2N50A2 HWM3N50A2 HWM4N50A2 HWM2N60B2 HWM2N60BP HWM3N60A2

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网 网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    147

    文章

    7156

    浏览量

    213140
  • 高压MOSFET
    +关注

    关注

    0

    文章

    8

    浏览量

    8731
  • 功率器件
    +关注

    关注

    41

    文章

    1758

    浏览量

    90416
  • DMOS
    +关注

    关注

    0

    文章

    28

    浏览量

    14759
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    意法半导体高压功率MOSFET研讨会即将来袭

    ‍‍‍‍‍‍‍‍ 即刻报名诚邀您参加意法半导体高压功率(HV)MOSFET研讨会 - 11.19杭州站/11.21深圳站!了解更多ST HV MOSFET
    的头像 发表于 11-07 14:11 266次阅读

    AP2222D 20V N沟道增强型MOSFET

    铨力授权一级代理商 AP2222D 20V N沟道增强型MOSFET 描述: AP2222D采用先进的沟槽技术
    发表于 10-08 11:34

    N沟道增强型MOSFET的优缺点

    N沟道增强型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)作为现代电子
    的头像 发表于 09-23 17:06 585次阅读

    N沟道增强型MOSFET的优缺点是什么

    半导体器件,在电子工程中具有广泛的应用。其独特的结构和工作原理使得它在功率转换、开关电路、放大电路等多个领域发挥着重要作用。然而,任何技术都有其两面性,
    的头像 发表于 08-23 14:02 881次阅读

    P沟道N沟道MOSFET的基本概念

    P沟道N沟道MOSFET作为半导体器件中的关键元件,在电子电路设计中扮演着重要角色。它们各自具
    的头像 发表于 08-13 17:02 1703次阅读

    MOSFET的基本结构与工作原理

    MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分,一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面内,半导体的另一个
    发表于 06-13 10:07

    1A,700V N沟道功率MOSFET UTC1N70-LC数据手册

    德赢Vwin官网 网站提供《1A,700V N沟道功率MOSFET
    发表于 05-30 16:11 0次下载

    Littelfuse N沟道和P沟道功率MOSFET的比较分析

    Littelfuse P沟道功率MOSFETs,虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名,在传统的应用范围也较有限,然而,随着低压(LV)应用需求的增加, P
    的头像 发表于 04-02 14:27 1437次阅读
    Littelfuse <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b>和P<b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的比较分析

    30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET CSD17483F4数据表

    德赢Vwin官网 网站提供《30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET CSD17483F4数据
    发表于 04-02 11:25 0次下载
    30<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>沟道</b> FemtoFET™ <b class='flag-5'>MOSFET</b> CSD17483F<b class='flag-5'>4</b>数据表

    25V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16401Q5数据表

    德赢Vwin官网 网站提供《25V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16401Q5数
    发表于 03-21 10:46 0次下载
    25<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>沟道</b> NexFET™ <b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> CSD16401Q5数据表

    25V N沟道 NexFET™ 功率MOSFET CSD16321Q5数据表

    德赢Vwin官网 网站提供《25V N沟道 NexFET™ 功率MOSFET CSD16321Q5数据表
    发表于 03-21 10:43 0次下载
    25<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b> NexFET™ <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> CSD16321Q5数据表

    Vishay推出30V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET

    全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率
    的头像 发表于 03-12 10:38 755次阅读

    Vishay推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET

    近日,全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET
    的头像 发表于 03-12 10:32 651次阅读

    60 VN沟道沟槽MOSFET BXK9Q29-60A英文资料

    德赢Vwin官网 网站提供《60 VN沟道沟槽MOSFET BXK9Q29-60A英文资料.pdf》资
    发表于 01-04 14:22 0次下载
    60 <b class='flag-5'>V</b>,<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b>沟槽<b class='flag-5'>MOSFET</b> BXK9Q29-60<b class='flag-5'>A</b>英文资料

    NSF040120L4A0:1200 V,40 mΩ,N沟道SiC MOSFET初步数据表

    德赢Vwin官网 网站提供《NSF040120L4A0:1200 V,40 mΩ,N沟道SiC MOSFET
    发表于 01-03 16:26 1次下载
    NSF040120L<b class='flag-5'>4A</b>0:1200 <b class='flag-5'>V</b>,40 mΩ,<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b>SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>初步数据表