基于氮化镓的电源芯片U8722BAS具有更低成本效益
GaN是一种改变我们的生活方式，应用前景广泛的特新材料。氮化镓技术正在提供更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率。现在，深圳银联宝科技推出的电源芯片U8722BAS，是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关，可以让电源方案拥有更低的成本！
电源芯片U8722BAS集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。U8722BAS的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能。芯片内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。
电源芯片U8722BAS封装类型为ASOP7-T4，管脚说明如下：
1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚
2 FB I 系统反馈输入管脚
3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚
4 VDD P 芯片供电管脚
5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚
6 GND P 芯片参考地
7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚
电源芯片U8722BAS集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8722BAS通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。
U8722BAS
电源芯片U8722BAS系列还集成轻载SR应力优化功能，在驱动电流配置为第一、第二、第三档位时，当芯片工作于轻载模式时，将原边开通速度减半，减小空载时SR的Vds应力过冲。U8722BAS采用峰值电流抖动的方式实现进一步的EMI性能优化，峰值电流抖动幅值最大为±8%。芯片根据输入电压的变化调节抖动幅值，实现EMI优化的基础上进一步优化输出纹波。
氮化镓是第三代半导体核心材料之一，具备开关频率高、禁带宽度大、更低的导通电阻等优势，是电子产品的重要材料和元件。深圳银联宝科技氮化镓电源芯片通常被应用于快速充电器、适配器和LED照明驱动等领域，随着方案落地上市和技术的进一步提升，对未来充满信心，诚邀更多小伙伴关注、了解银联宝，期待合作！
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