重庆三安意法8英寸碳化硅衬底厂已投产
近日，重庆三安意法8英寸碳化硅（SiC）衬底厂正式投产，标志着这一高科技项目比预期提前两个月进入生产阶段，为中国电动汽车产业供应链注入了强劲动力。该项目由全球领先的半导体制造商意法半导体（STM）与中国三安集团携手共建，总投资额高达300亿元人民币，预计年营收可达170亿元人民币，彰显了双方对电动汽车市场未来的坚定信心和巨大投入。
该工厂不仅集成了汽车级SiC衬底、外延和芯片的研发与制造能力，还将成为中国蓬勃发展的电动汽车市场SiC衬底的主要供应商。其年产能可达48万片8英寸SiC衬底及车规级MOSFET功率芯片，为电动汽车的关键部件如主驱动逆变器和车载充电器提供高质量、高性能的SiC芯片解决方案。
重庆三安意法碳化硅衬底厂的投产，是中国电动汽车产业链向高端化、智能化迈进的重要里程碑。SiC材料以其优异的导电性、耐高温性和高功率密度，正逐步成为电动汽车动力系统的核心材料，对于提升车辆性能、延长续航里程、降低能耗等方面具有不可估量的价值。随着该工厂的顺利运行，中国电动汽车产业将迎来更加广阔的发展空间和市场机遇。
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