信越化学推出12英寸GaN晶圆，加速半导体技术创新
日本半导体材料巨头信越化学近日宣布了一项重大技术突破，成功研发并制造出专用于氮化镓（GaN）外延生长的300毫米（即12英寸）晶圆，标志着公司在高性能半导体材料领域迈出了坚实的一步。此次推出的QST 300mm晶圆，凭借其独特的热膨胀系数（CTE）与GaN材料完美匹配，有效解决了外延层在生长过程中可能出现的翘曲和裂纹问题，显著提升了产品的良率和可靠性。
此前，信越化学已在市场上成功推广了150毫米（6英寸）和200毫米（8英寸）的QST衬底及其上的GaN外延产品，赢得了业界的广泛认可。此次12英寸GaN晶圆的推出，不仅进一步丰富了公司的产品线，也为全球GaN器件制造商提供了更大尺寸、更高质量的材料选择，有望推动GaN技术在电力电子、无线通信等领域的广泛应用和快速发展。
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