英特尔将于紫光合作，在中国生产3D NAND闪存芯片
上周，随着英特尔和美光宣布未来双方将各自独立开发3D NAND，其维持多年的长期合作关系也将结束。与此同时，有外媒报道，英特尔将于紫光合作，在中国生产3D NAND闪存芯片。在未来几年，英特尔将会更加积极的进入NAND闪存市场，尤其是用于数据中心和高端个人电脑的特殊领域。而紫光似乎在此机遇之下，赢得了发展的先机。
在赵伟国执掌紫光集团之后，自2013年以来，据不完全统计，紫光系共投资了16家公司（不包括后期暂停或终止的），斥资近千亿元。其中，芯片领域就有11家，先后十多次举牌上市公司。
虽然从2017年开始，紫光开始放慢并购的脚步，但是这并没有阻止正在以低频和其他的方式参与到产业中来，因为对于赵伟国而言，对紫光“芯片+云网”的部署从未停止过。
严防死守与突围此次业界对于紫光和英特尔的合作并不是无迹可寻，因为这已经不是紫光和英特尔的第一次接触了。
远的不说，单从2013年紫光开始大规模收购开始。
2013年底，紫光先以18亿美元收购展讯通信，后以9.1亿美元收购锐迪科，将中国大陆前三的两家芯片设计公司整合到一起。
2014年，紫光将展讯、锐迪科20%股份以15亿美元的价格出售给了Intel。
通过这一收购，紫光不仅通过收购展讯、锐迪科在商业上大赚一笔，更拉到了芯片巨头Intel这个强援。
在尝到了收购带来的好处之后，紫光的收购措施更是一发不可收拾。
2015年，在试图收购美光的企图被美国政府禁止后，紫光豪掷38亿美元收购西部数据15%股权，进而由西部数据出面，绕过美国政府的管制，以190亿美元收购闪迪。
可以说，这也是紫光在尝试收购美光失败后曲线强化存储上的布局。
但最后这项交易，还是由于美国海外投资委员会CFIUS介入审查而终止，由此不难看出，国外对于存储器技术的严防死守。
意识到了这一问题之后，紫光转而通过合作的方式来进行。
显然，在相关领域储备知识产权，通过资本获得入场券，归根结底还是以做好科技实业为本。
其实紫光从一开始就有一个大盘的策略，而存储行业是紫光这一策略中关键的一步。
虽然由于国外严防死守的原因，很多收购都宣告破产，但是紫光并没有死心，而是转而选择与国内企业联手的方式，进军存储产业。
第一步就是2016年7月，紫光收购武汉新芯的大部分股权，并注册成立了全新的长江存储，将武汉新芯变成其全资子公司。
当时就有业内人士表示，紫光有资金，武汉新芯有生产保障，再加上第三方（美光等）的技术支持，二者联手将是中国存储器芯片赶超国外巨头的绝佳机会。
除了Falsh，紫光对DRAM也是高度关注。在2015年，紫光就从同为清华系的同方股份手里收购了同方国芯36.39%的股权，涉足DRAM产业，并将改公司改名为紫光国芯。
现在回头看，过去两年，尤其近两年以来Flash和DRAM价格的高涨，再一次证明了紫光的独到。
紫光与英特尔合作？
而现在随着英特尔和美光合作的终结，如果紫光此时能够搭上英特尔的快车，将能够更加快速的时间国产存储器的崛起。
其实这并不是紫光第一次需求技术上的授权和合作。
在收购武汉新芯的时候，紫光就希望在此基础上需求与美光的技术授权。
但是，当时的问题在于，彼时英特尔与美光的合作关系还存在，在与美光谈技术授权的同时，还需要经过英特尔这一关，而且美国政府对于技术转移到中国也是相当保守，此前收购美光破产就是一个很好的例子，所以技术授权也是无疾而终。
而现在在美光与英特尔合作结束之后，紫光能够有机会呢？
这两年，存储器市场发生了翻天覆地的变化，价格更是连创新高，英特尔更是在被三星依靠着存储器挤下了坐了二十多年的半导体行业老大的宝座。
要说英特尔不甘心那是不可能的，但是力所难及啊。
为此，英特尔宣布，英特尔计划提升其在大连的12英寸晶圆厂的产能，英特尔位于大连的工厂在2015年的时候，从原先的处理器业务变成Nand闪存芯片业务。
但是，即便如此，英特尔的情况依然不容乐观。
据了解，在产品规划上，英特尔的发展依旧以SSD为主，并占其90%以上比重，3D-XPoint相关应用由于才刚起步，且价格仍处高点，采用者仍然不多。即便如此，英特尔的份额依旧不高。
可以说，英特尔亟待寻找出路在存储芯片市场获得突破，而由于英特尔与美光本身在发展理念上的不同，随着合作终结，英特尔将能够更加自由的发展自己的存储芯片。而在这种情况下，就需要一个强有力的并且合适的合作伙伴。
同时，紫光也需要先进技术的支持。
去年年底，紫光也宣布将投资了 300 亿美元在南京建设自己的 DRAM 存储器及 NAND Flash 存储器工厂。另外也和中国***地区的建兴宣布合作，在苏州兴建一座 SSD 固态硬盘开发、制造工厂，这些工厂都需要先进技术的支持。
因此，未来如果真能与英特尔合作，英特尔所掌握的 NAND Flash 技术将有望让紫光的生产更上一层楼。而英特尔则可以利用技术授权，借由紫光的布局以换取更大的市场。可以说是双赢的局面。
因此在这种情况之下，很多人就提出了英特尔看中紫光，将技术授权的可能。
但是，这种情况真的可能吗？
在此之前就曾有消息说，紫光与SK海力士就闪存技术许可进行谈判与合作，给出的理由则是，3D NAND技术很难不触碰到SK海力士等国际厂商的知识产权。
紫光专门针对这件事情表示，闪存只是产权不是SK海力士的，现在的3D NAND技术是自己开发的。
由此可以猜想，依靠目前紫光的实力，可能并不需要通过技术授权的方式来实现3D NAND产品的突破。
那么紫光是否还需要依靠英特尔的授权就不得不打上一个问号。
其实，即便英特尔进行技术授权，也存在着美国政府阻碍的问题。
事实上，美国以法律当武器恫吓对手的做法，早已是屡见不鲜的事，2017年年底，美光就针对联电和福建晋华目前仍在研发阶段的 DRAM 技术，在美国提出涉嫌妨碍运营机密的控告。
同时，美国还不断以国家安全为借口，来避免技术的外泄和中国企业的收购以杜绝先进技术流向中国。
比如说，在刚刚结束的CES上，AT&T临场变卦，华为再次被美国市场拒之门外，理由依然是说了千万遍的华为军工背景或会危机美国的国家安全。
之后，更是有消息说，美国国会两位重量级议员发起一项议案，拟禁止政府机构采购华为、大唐及中兴的产品和服务，称其“与中国军方关系密切”。
而类似的理由都会成为英特尔技术授权给紫光的障碍。
自主研发才是出路对于英特尔可能技术授权给紫光这件事情来看，更多的只是一种猜想，而这种猜想很难有成为现实的可能。
而紫光这几年来的发展已经为我们发展中国自主的存储器产业指明了一条非常明朗的道路。
高启全曾说过，中国发展存储芯片不能再走授权代工的路，一定要技术自主开发，用到别人的专利就付钱，同时也累积自己手上的专利实力，如果最后真的无法成功，那也必须接受事实。
历史的经验也告诉我们，回顾***过去 20 年的产业发展脚步，等于是为美、日、欧等国大厂打了 20 年工，到最后仍是无法拥有自己的技术，只换来“生产成本最低的 DRAM 厂”的称号。
尤其是对于目前的中国市场也是如此，拥有巨大的市场，但是在技术方面短缺，是我们不得不面临的困境。
当前中国半导体的艰难局面来自于：中国身为全球最大的半导体市场，但却必须高度依赖进口，以需求量最大的 DRAM 和 NAND Flash 芯片为例，9 成以上都依靠国际大厂。
而现在，随着紫光32层64G的3D NAND芯片研发成功，其DDR4存储芯片计划于今年逐步推向市场，紫光告诉我们，自主研发才是中国存储产业的出路！
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原文标题：紫光存储如何突围？
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