MS37549/MS37545——三相无感正弦波 BLDC 驱动
产品简述
MS37549 和 MS37545 是无感三相直流电机预驱芯片，采用
正弦波驱动方式，具有低噪声及低震动的特点。
芯片通过一个速度控制脚来控制电机的速度。并且电源电压
可以低到 4V 来适应调整电机的转速。
MS37549 和 MS37545 采用 QFN16 封装，带散热片。
主要特点
◼具有低噪声特点的 180 度正弦驱动
◼外置 PN 功率管
◼高效率控制算法
◼无感控制
◼vwin 速度控制输入 (MS37545)
◼PWM 速度控制输入 (MS37549)
◼低功耗模式
◼FG 速度反馈输出
◼堵转检测功能
◼过流保护
◼软启动
应用
◼风扇
◼消费类产品
产品规格分类
*暂未提供此封装。若有需要，请联系杭州瑞盟销售中心
管脚图
管脚说明
内部框图
极限参数
芯片使用中，任何超过极限参数的应用方式会对器件造成永久的损坏，芯片长时间处于极限工作
状态可能会影响器件的可靠性。极限参数只是由一系列极端测试得出，并不代表芯片可以正常工作在
此极限条件下。
电气参数
注意：没有特别规定，环境温度为 TA= 25°C ±2°C，VBB=12V。
如有需求请联系——三亚微科技 王子文（16620966594）
功能描述
MS37545 和 MS37549 应用于风扇中，面向需要低噪声，低震动以及高效率的应用场合。
低功耗模式
MS37549 的低功耗模式受 PWM 脚控制,当 PWM 脚输入的电平为低持续超过 36ms，芯片会进入睡
眠模式，此时芯片的功耗小于 1μA。PWM 输入脚变高电平后，会立即重启芯片。
MS37545 的低功耗模式受 VSP 脚控制，当 VSP 脚输入的电平为低持续超过 36ms，芯片会进入睡
眠模式，此时芯片的功耗小于 1μA。VSP 输入脚变高电平后，会立即重启芯片。
速度控制
风扇的速度可以通过几种方式来调节：电源电压（控制电源电压），PWM 占空比控制(MS37549)
模拟输入控制(MS37545)。采用 PWM 占空比控制或者模拟输入控制方式能够简化外围，减少可变
电源的设计。电源电压控制模式下芯片的电压可以低到 4V 以满足一些特定的应用。
MS37545-VSP 模拟输入控制
一个内部的 ADC 将输入电压转化成一个速度控制所需的数值(如图 1)。当输入电压低于 V
THOFF时，马达输出将被关闭。而在启动的时候，输入必须达到 VTHON一个 tON时间。tON
延时是为了让内部的电源基准以及模拟模块正常的启动。该延迟过后，VSP 就在 VTHOFF
和满幅之间控制运行(7.5%到 100%)。
MS37549-PWM 输入模式
内部有一个 PWM 占空比计算模块将输入端的 PWM 转化为所需要的数值（9bit 数据），通过这个
数值来控制风扇的转速。当 PWM 达到 10%左右的时候，马达驱动将开始工作（如图 2）。PWM
输入端集成了滤波器，滤除一些可能导致芯片开启或者关闭的干扰信号。
PWM 脚内部集成了一个下拉电阻(100kΩ)，如果输入脚没有接好，芯片将直接关闭输出驱动。如
果需要 100%的速度，直接在 PWM 和电源之间接一个 50kΩ 的电阻即可。
电源电压速度控制模式
电机的速度同样可以通过电源电压来控制。在这种方式下，只需要在 VBB 和 VSP(MS37545)或者
PWM(MS37549)之间接一个 50kΩ 的电阻。电机驱动将受到芯片 VBB 电源欠压保护的控制，上升
超过阈值将启动，下降低于阈值将关闭。
堵转保护
芯片会检测当前的转速，判断是否处于堵转的状态。如果检测到一个堵转状态，芯片将在一个tOFF
时间内关闭驱动，并在该时间结束后尝试重新启动电机。
FG
FG 输出采用开漏输出，用来反馈当前速度情况。输出一个电流周期，FG 对应输出一个周期信号
电流检测及保护
I_IN 引脚输出一个 50μA 的电流，从而产生一个直流基准用来防止负电压。
建议在 I_IN 上提供 0.5V 直流电压偏置。RBIAS可以取 10kΩ。
限流保护功能设置如下，当检测到 VI_IN超过内部限流基准电压时，该侧的功率 PMOS 将在剩下
的PWM 周期内被关闭，直到下一个周期再正常开启。芯片正常工作时，内部限流基准电压设计值
为1V。
如果检测到 VI_IN超过内部过流基准电压时，芯片会直接关闭输出。芯片正常工作时,内部过流基
准电压设置为 1.5V。
软启动功能
芯片软启动功能需要与限流保护结合使用。内部设置限流保护的基准电压，可选快速启动和慢速
启动。
快速启动时限流保护的基准电压在启动后 1S 内从 0.5V 上升到 1V。
慢速启动时限流保护的基准电压在启动后 4S 内从 0.5V 上升到 1V。
配合内部的限流保护功能，只需要调整好 RS 电阻和 RBIAS值，就
可以获得一个合适的软启动过程
保护模块
芯片内部具有完善的保护模式：堵转检测及自动重启，过流保护，输出短路保护，电源电压欠压
保护以及过温保护。
典型应用图
MS37549
如有需求请联系——三亚微科技 王子文（16620966594）
MS37545
封装外形图
QFN16
——爱研究芯片的小王
审核编辑 黄宇
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