纳微半导体发布全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源-德赢Vwin官网网

效率超97.5%！由高功率 GaNSafe 和第三代快速碳化硅MOSFETs 打造的下一代电源方案，完美适配AI和超大规模数据中心

唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日发布全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源，其采用了氮化镓和碳化硅技术的混合设计，实现了>97.5%的超高效率，完美适配AI和超大规模数据中心。

这款针对AI数据中心优化的输出电压为54V的服务器电源，符合开放计算项目（OCP）和开放机架v3（ORv3）规范，其三相交错PFC和LLC拓扑结构中采用了高功率GaNSafe氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅 MOSFETs，以确保实现最高效率和最佳性能，同时将无源器件的数量降至最低。

与竞争对手使用的两相拓扑相比，该电源所采用的三相拓扑结构，能为PFC和LLC带来行业内最低的纹波电流和EMI。此外，与最接近的竞品相比，该电源的氮化镓和碳化硅器件数量要少25%，进而降低了整体成本。该电源的输入电压范围为180至264 Vac，待机输出电压为12V，工作温度范围为-5°C至45°C，在8.5kW时的保持时间为10ms，通过扩展器可达到20ms。

该电源的三相LLC拓扑结构由高功率GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，该芯片专为要求严苛的高功率应用（如AI数据中心和工业市场）而设计打造。GaNSafe作为纳微的第四代氮化镓产品集成了控制、驱动、传感和关键保护功能，具备前所未有的可靠性和鲁棒性。

作为全球氮化镓功率芯片的安全巅峰，GaNSafe具有短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚均有2kV ESD保护、消除负栅极驱动和可编程的斜率控制。所有这些功能都可通过芯片4个引脚控制，使得封装可以像一个离散的氮化镓FET一样被处理，不需要额外的VCC引脚、纳微的650V GaNSafe目前提供TOLL和TOLT两种封装，RDS(ON)MAX范围从25到98mΩ，可应用于1kW 到22kW的大功率应用场景。

该电源的三相交错CCM TP-PFC由第三代快速碳化硅MOSFETs驱动，其采用了“沟槽辅助平面”技术。该技术是GeneSiC超过20年的碳化硅行业深耕的匠心之作，可提供全球领先的温度性能，具备低温升运行、快速开关和卓越的鲁棒性的特点，以加速电动汽车的充电速度或为AI数据中心增进3倍功率。

纳微半导体

首席执行官兼联合创始人

Gene Sheridan

“纳微完整的氮化镓和碳化硅产品组合，是纳微AI数据中心电源技术路线图不断发展的关键所在，刚刚发布的8.5kW电源正是最好的体现，而短期内我们也将陆续推出12kW甚至更高功率的服务器电源。

目前，全球大部分数据中心都无法满足英伟达最新Blackwell GPUs的功率需求，这暴露了整个行业生态准备不足的困境，而我们全新的8.5kW电源将是解决AI和超大规模数据中心功率需求问题的关键秘钥。”

纳微全新的8.5kW AI数据中心服务器电源将在11月8-11日于西安曲江国际会议中心举办的中国电源学会年会（详情请点击此处）和11月12-15日举办的德国慕尼黑电子展首发亮相。

关于纳微半导体

纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过250项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral认证的半导体公司。

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纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。

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原文标题：GaN+SiC！纳微全球首发8.5kW AI数据中心服务器电源

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