刻蚀工艺评价的工艺参数以及如何做好刻蚀工艺-德赢Vwin官网网

在本篇文章中，我们主要介绍刻蚀工艺评价的工艺参数以及如何做好刻蚀工艺。

一、刻蚀工艺质量评价 1）刻蚀速率刻蚀速率是指在蚀刻过程中被去除的材料的速率，通常以单位时间内的厚度减少量来表示，单位通常是纳米/秒（nm/s）或埃/秒（Å/s）。厚度可用膜厚仪、台阶仪或SEM等表征。刻蚀速率=△d/t (Å/min) △d=去掉的材料厚度(Å或um) t=刻蚀所用的时间 (min)

2）刻蚀选择比在刻蚀过程中，被刻蚀物质上层的抗蚀剂（如光刻胶）或下层的物质这些本来不需要被刻蚀的膜层会同时遭到刻蚀，那么在抗蚀剂和刻蚀材料间需要有一个定义，即刻蚀选择比。刻蚀选择比=被刻蚀材料的速率/掩膜材料的速率在微纳加工中，刻蚀选择比是一个重要的参数，它决定了在蚀刻过程中目标材料相对于掩模材料的去除速率。通常情况下，刻蚀选择比越高，表示目标材料相对于掩模材料的去除速率越快，蚀刻过程更具有选择性。高刻蚀选择比对于制造微纳米结构和器件至关重要，因为它可以确保所需的结构只在特定的区域进行蚀刻，而不影响其他区域。

用于刻蚀的掩膜材料对比参考下表，对于常规工艺，通常采用光刻胶即可，但是围绕一些耐刻蚀材料，如碳化硅、石英、蓝宝石等则需要硬掩模才能实现。

3）均匀性均匀性通常用于刻蚀速率在整个晶片上的一致性情况。衡量刻蚀工艺在整个晶片上，或整个一批，或批与批之间刻蚀能力的参数。（片内、片间及批间）。Emax为最大值，Emin为最小值，Eave为平均值。

4）刻蚀偏差刻蚀以后线宽或关键尺寸间距的变化。刻蚀工艺之后线宽、图形高度、深度等尺寸的变化。只要涉及化学反应就一定或多或少存在侧蚀，有效利用侧蚀可以实现一些特殊结构。刻蚀偏差=Wb - Wa Wb=刻蚀前掩膜的线宽 Wa=掩膜去掉后被刻蚀材料的线宽

5）刻蚀角度刻蚀角度通常是指刻蚀过程中垂直于表面的刻蚀方向与表面水平线之间的夹角。刻蚀角度可以通过控制刻蚀速率的比例来实现。假设 Vh表示垂直方向的刻蚀速率，Vv表示水平方向的刻蚀速率，则刻蚀角度θ可以通过以下公式进行估算：

在刻蚀过程中，刻蚀角度的控制对于制备特定形状或结构的器件非常重要。通过调整刻蚀角度，可以控制材料在特定方向上的刻蚀速率，从而实现所需的形状或结构。例如，如果需要制备具有斜面的器件或结构，可以通过调整刻蚀角度来实现。二、如何做好刻蚀工艺那么如何能够得到希望的刻蚀效果呢？可以参照如下流程进行设计，再通过刻蚀后形成的工艺质量评价后再进行进一步的优化和调节。

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

光刻胶

光刻胶

+关注

关注
10

文章
317

浏览量
30218
刻蚀工艺

刻蚀工艺

+关注

关注
2

文章
37

浏览量
8414

原文标题：想要做好刻蚀工艺需要评价哪些指标？

文章出处：【微信号：bdtdsj，微信公众号：中科院半导体所】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

芯片制造的刻蚀工艺科普

在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀

发表于 09-24 17:42 •2556次阅读

【新加坡】知名半导体晶圆代工厂招聘资深刻蚀工艺工程师和刻蚀设备主管！

新加坡知名半导体晶圆代工厂招聘资深刻蚀工艺工程师和刻蚀设备主管！此职位为内部推荐，深刻蚀工艺工程师需要有LAM 8寸机台poly

发表于 04-29 14:23

半导体光刻蚀工艺

半导体光刻蚀工艺

发表于 02-05 09:41

干刻清洗工艺在金属刻蚀去胶腔上的评价及应用

本文以金属刻蚀去胶腔为背景，简述干刻清洗工艺开发和评价过程。针对实际应用中的问题，展开讨论。通过实际案例分析,展示了干刻清洗工艺的应用价值。关键字：干刻清

发表于 12-14 11:06 •17次下载

两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀

反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的（如当平坦化硅片表面时需要减小形貌特征）。光刻胶是另一个剥离的例子。总的来说，有图形刻蚀和无图形刻蚀工艺条件能够采用干法刻蚀或湿法腐蚀技术来

发表于 12-14 16:05 •7.1w次阅读

ＧａＮ材料干法刻蚀工艺在器件工艺中有着广泛的应用

摘要：对比了ＲＩＥ，ＥＣＲ，ＩＣＰ等几种ＧａＮ７干法刻蚀方法的特点。回顾了ＧａＮ１法刻蚀领域的研究进展。以ＩＣＰ刻蚀ＧａＮ和ＡＩＧａＮ材料为例，通过工艺

发表于 12-29 14:39 •3536次阅读

关于刻蚀的重要参数报告

刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度通常用Å/min表示，刻蚀窗口的深度称为台阶高度。为了高的产量，希望有高的刻蚀速率。在采用单片

发表于 03-15 13:41 •3548次阅读

干法刻蚀工艺介绍

刻蚀室半导体IC制造中的至关重要的一道工艺，一般有干法刻蚀和湿法刻蚀两种，干法刻蚀和湿法刻蚀一个

发表于 06-13 14:43 •6次下载

半导体行业之刻蚀工艺技术

DRAM栅工艺中，在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素

发表于 04-07 09:48 •3762次阅读

半导体前端工艺：刻蚀——有选择性地刻蚀材料，以创建所需图形

在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀

发表于 06-15 17:51 •2024次阅读

半导体图案化工艺流程之刻蚀(一)

图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。其中，刻蚀工艺是光刻(Photo)工艺

发表于 06-26 09:20 •1577次阅读

干法刻蚀工艺介绍硅的深沟槽干法刻蚀工艺方法

第一种是间歇式刻蚀方法(BOSCH)，即多次交替循环刻蚀和淀积工艺，刻蚀工艺使用的是SF6气体，淀积工艺

发表于 07-14 09:54 •5867次阅读

Bosch刻蚀工艺的制造过程

Bosch刻蚀工艺作为微纳加工领域的关键技术，对于HBM和TSV的制造起到了至关重要的作用。

发表于 10-31 09:43 •513次阅读

干法刻蚀工艺的不同参数

本文介绍了干法刻蚀工艺的不同参数。干法刻蚀中可以调节的工艺参数有哪些？各有什么作用

发表于 12-02 09:56 •309次阅读

刻蚀工艺的参数有哪些

本文介绍了刻蚀工艺参数有哪些。刻蚀是芯片制造中一个至关重要的步骤，用于在硅片上形成微小的电路结构。它通过化学或物理方法去除材料层，以达到特定的设计要求。本文将介绍几种关键的

发表于 12-05 16:03 •376次阅读