SK海力士成功量产321层NAND闪存
近日，SK海力士对外宣布了一项重大技术突破——成功实现了全球最高的321层1Tb(太比特，Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存的量产。这一里程碑式的成就不仅彰显了SK海力士在半导体存储技术领域的深厚底蕴，也标志着全球NAND闪存技术迈入了一个新的发展阶段。
据SK海力士介绍，此次量产的321层NAND闪存采用了先进的4D堆叠技术，实现了前所未有的存储密度和性能提升。与之前的产品相比，321层NAND闪存不仅具有更高的存储容量，还在读写速度、耐用性等方面实现了显著提升，能够更好地满足市场对于高性能、高可靠性存储解决方案的迫切需求。
SK海力士表示，他们计划从明年上半年起正式向全球客户提供这款321层NAND闪存产品。相信随着该产品的逐步推广和应用，将为用户带来更加出色的存储体验，同时也将进一步推动全球半导体存储产业的创新发展。
此次SK海力士成功量产321层NAND闪存，不仅是对公司自身技术实力的一次有力证明，也为全球NAND闪存市场的发展注入了新的活力和动力。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网
网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
存储
+关注
关注
13文章
4296浏览量
85795 -
NAND闪存
+关注
关注
2文章
219浏览量
22750 -
SK海力士
+关注
关注
0文章
957浏览量
38472
发布评论请先 登录
相关推荐
SK海力士展出全球首款16层HBM3E芯片
在近日举行的SK AI峰会上，韩国存储巨头SK海力士向全球展示了其创新成果——全球首款48GB 16层HBM3E产品。这一产品的推出，标志着SK
SK海力士推出48GB 16层HBM3E产品
近日在一次科技展览上，SK海力士惊艳亮相，展出了全球首款48GB 16层HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)产品。这一突破性产品不仅展示了SK
SK海力士9月底将量产12层HBM3E高性能内存
自豪地宣布，SK 海力士当前市场上的旗舰产品——8层HBM3E，已稳坐行业领导地位，而更进一步的是，公司即将在本月底迈入一个新的里程碑，正式启动12层HBM3E的
SK海力士率先展示UFS 4.1通用闪存
在最近的FMS 2024峰会上，SK 海力士凭借其创新实力，率先向业界展示了尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存新品，再次引领存储技术的前沿。此次展示不仅彰显了SK
SK海力士加速NAND研发，400+层闪存量产在即
韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新，据韩媒最新报道，该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠
SK海力士将在2025年底量产400+层堆叠NAND
近日，韩国权威媒体ETNews爆出猛料，SK海力士正在积极筹备加速下一代NAND闪存的研发进程，并且已经设定了明确的发展时间表——计划在2025年底之前，全面完成高达400多层堆叠
SK海力士考虑让Solidigm在美上市融资
据最新消息，SK海力士正酝酿一项重要财务战略，考虑推动其NAND与SSD业务子公司Solidigm在美国进行首次公开募股（IPO）。Solidigm作为SK
SK海力士HBM4E存储器提前一年量产
SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上，由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026年开始，提前一年
SK海力士推出新一代移动端NAND闪存解决方案
在智能手机技术日新月异的今天，SK海力士再次引领行业潮流，成功推出新一代移动端NAND闪存解决方案——ZUFS 4.0。这款专为端侧AI手机
SK海力士推出新一代移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.0
今日，SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破，他们成功研发出了面向端侧（On-Device）AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“
SK海力士发布NAND闪存解决方案，助力端侧AI手机发展
SK海力士指出，“ZUFS 4.0是新一代移动端NAND闪存解决方案，具备行业内最高性能且专门针对端侧AI手机进行优化。”此外，公司还强调，“借助此产品，我们将在
消息称SK海力士测试东京电子低温蚀刻设备
SK 海力士正在与东京电子（TEL）展开紧密合作，通过发送测试晶圆来评估后者的低温蚀刻设备。这一举措旨在为未来的NAND闪存生产导入新技术。在当前，增加堆叠层数已经成为提高3D
刚刚！SK海力士出局！
来源：集成电路前沿，谢谢 编辑：感知芯视界 Link 3月25日消息，据报道，由于SK海力士部分工程出现问题，英伟达所需的12层HBM3E内存，将由三星独家供货，SK
SK海力士首发Gen5 NVMe固态硬盘
该产品与 Gold P31、Platinum P41 共同使用了海力士自主研发的 SSD 主控，然而独特之处在于其搭载了 PCIe Gen5 技术及 238 层的 TLC NAND 闪存
铠侠向SK海力士提议在日产非易失性存储器，推动合作达成
去年，铠侠与西数的合并谈判因韩企 SK 海力士阻挠而被搁置，其顾虑在于合并后的企业体量过大。为打破僵局争取 SK 海力士的支持，铠侠提出借助其实施的日本产 3D
工商网监
评论