AI带动HBM、LPDDR5畅旺，明年内存市场预判
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）在日前由TrendForce集邦咨询主办的MTS2025存储产业趋势研讨会上，集邦分析师们都提到AI对存储乃至半导体产业的推动。
集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示，AI应用带动高效能运算芯片需求发烧已持续近两年，高算力应用成为先进制程及晶圆代工产业最大驱动力。
自2025年起，除了AI芯片供货商及CSPs自研芯片，内存供货商也因应高算力需求，争相寻求先进制程晶圆代工伙伴合作；区域竞争下更让全球半导体格局发生重大变革，无论先进工艺与封装工艺都将是未来的致胜关键。
此外晶圆厂上中下游配套IP、设计服务及封测生态已成为AI领域竞赛的必要资源。除先进制程的商机外，Edge AI是否能为需求沉寂已久的成熟制程注入新活力，2025年的晶圆代工产业在Cloud AI与Edge AI的发展下将如何变革成为关注焦点。
集邦咨询研究经理刘家豪认为，明年服务器市场有所改善，随着全球AI服务器市场对云端服务供货商(CSPs)及品牌业者对AI基础设施需求不断增强，预计2025年AI服务器的出货量将持续攀升至约15%。
对于AI对内存产业的影响，TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷结合供给端和需求端、以及明年的市场展望，做了专业深入的分享。
供给端：HBM是否会供过于求？
从2024年内存市场生产位元成长Production bit growth的情况来看，预计三星明年的生产成长14%，SK海力士接近30%，美光增长 23%，NANYA增长16%。DRAM产能方面，三星在今年年底会达到120K，2025年规划达到170K。
HBM成为一大热门内存产品，吴雅婷分析，其中三星HBM产量占其总内存产量的9%，SK海力士占比达14%，美光由于后段产能不多，因此明年总产出占比为6%。美光的HBM验证状况稳定，目前HBM产能不算太多，今年底25K，明年底45K，市场份额还远低于SK海力士和三星电子这两家韩系厂商。
那么，对于明年HBM会否供过于求的问题，吴雅婷表示，我们始终认为明年HBM的需求非常旺盛，HBM的研发历程以及良率提升的难度会远高于之前的产品，因此目前预测的成长数字有可能会下修的。换言之，不会出现供过于求的情况。
吴雅婷指出，HBM的议价方式是一年一次，大约会在每年4月份发生，由于HBM还是比较热门，因此整体来看明年HBM不太会有缺货的情况，并且价格会持续上涨。
2024年HBM3的占比持续提升，而这个现象在明年会更加明显，预计HBM3e在明年将占所有HBM产出的85%。
三星HBM给英伟达的供货主要是配合H20，目前GB200还没有应用，此外三星HBM也为谷歌供货。SK海力士在今年下半年主力提供HBM给英伟达H200、GB200产品。美光HBM供应在明年主要集中在MI325和GB300。
2024年的内存供应，一方面是全球DRAM产能没有增加，而HBM快速渗透，HBM相比于DDR5需要用到更多wafer，因此影响内存供应量，从而带动内存价格上涨。
另一方面，疫情之后整个智能手机的出货量增速放缓，2024年由于内存价格上涨，各家厂商在手机中增加更多内存的意愿降低。若明年增长，则寄希望于AI手机的普及带动单机搭配容量的上升。
吴雅婷指出，明年LPDDR5将成为主流，其中LPDDR5在智能手机上的占比会提升到55%。
需求端：AI LPDDR 和 AI Server DRAM高成长
通用型Server DRAM 和 Mobile DRAM需求量占比最高，但AI LPDDR 和 AI Server DRAM成长性更好，正在成为市场下一个引领力量。
至于为何AI用LPDDR5越来越多，吴雅婷解释说，英伟达的Grace CPU制造工艺是用onboard的方式打在板子上，后续英伟达会将LPDDR5X以模组形式出货。预测算明年LPDDR5X 在 AI Server上的成长率会超过40%。同时，这将排挤 LPDDR5应用于智能手机的出货量。总体，明年LPDDR5的价格表现会比LPDDR4更有支撑度。
HBM需求方面，英伟达仍然是最大采购客户，今年占比达58%，明年预计是73%。在HBM价格坚挺，如若有价格弱化的情况也主要是BM2e或HBM3。随着HBM3E的持续渗透，明年有望占比超过8成。价格方面，HBM3e 12hi以每字节的价格来看，相比8hi的产品价格要贵10%到 15%。
集邦咨询认为明年HBM的产品均价成长会接近18%，当然并非每家厂商都有如此增长，要视厂商拿到的英伟达份额多少来看。
值得注意的是LPDDR的价格有向下的趋势，过去两三季度智能手机厂商积极消化库存，采购LPDDR4、LPDDR5意愿不强，不过随着库存水位的下降，有望在明年一季度开始畅旺地采购，从而拉动LPDDR的价格。
明年内存行情如何？
吴雅婷表示，预计2025年DRAM产值仍创历史新高，主要原因是HBM这一高价产品的渗透率提升。总体上明年供给位元成长25%，需求成长23%，因此每一家供应商对于明年的产能规划需要非常谨慎。
2025年HBM占内存整体市场份额接近9%，但由于价格高，对整个营收贡献达34%，甚至40%。如果DRAM价格跌幅进一步加深，HBM的占比相应会提高。而几家内存大厂的获利情况要视其在HBM上的竞争力以及HBM的供给量而定。
价格方面，2024年第四季度，终端厂商一直库存去化，造成一般型DRAM（Conventional DRAM）价格下降，每季大概下跌3%到8%，即便加上HBM 7个季度的表现，整体的DRAM价格仍有1%到 5%的下跌。明年上半年，因为消费型需求没有大回温的迹象，需求仍比较弱，整体的价格主要靠HBM支撑，预计整体DRAM在明年一季度的下跌会到10%，第二季度、第三季度跌幅缩小。
如若Conventional DRAM 的需求减少的同时，供应商压缩产能，那么明年下半年情况可能会有所改变。预计第三季、第四季整体 DRAM 的价格上涨。
Mobile DRAM方面，LPDDR4X和LPDDR5X市场表现不同，LPDDR4X供应量大，随着智能手机向 LPDDR5迁移，LPDDR4的价格走势面临挑战。而LPDDR5X在AI上应用越来越广泛，表现更稳健。
HBM3e依旧是明年的重点，占比到80%以上，尤其在12hi的产品，至于三大厂商的市场份额竞争，还得看部分厂商在英伟达的推进进度。
总体上，AI、通用服务器的内存需求表现良好，期待消费电子的需求增长，同时内存厂商调控Conventional DRAM的产能需因时而动。
集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示，AI应用带动高效能运算芯片需求发烧已持续近两年，高算力应用成为先进制程及晶圆代工产业最大驱动力。
自2025年起，除了AI芯片供货商及CSPs自研芯片，内存供货商也因应高算力需求，争相寻求先进制程晶圆代工伙伴合作；区域竞争下更让全球半导体格局发生重大变革，无论先进工艺与封装工艺都将是未来的致胜关键。
此外晶圆厂上中下游配套IP、设计服务及封测生态已成为AI领域竞赛的必要资源。除先进制程的商机外，Edge AI是否能为需求沉寂已久的成熟制程注入新活力，2025年的晶圆代工产业在Cloud AI与Edge AI的发展下将如何变革成为关注焦点。
集邦咨询研究经理刘家豪认为，明年服务器市场有所改善，随着全球AI服务器市场对云端服务供货商(CSPs)及品牌业者对AI基础设施需求不断增强，预计2025年AI服务器的出货量将持续攀升至约15%。
对于AI对内存产业的影响，TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷结合供给端和需求端、以及明年的市场展望，做了专业深入的分享。
供给端：HBM是否会供过于求？
从2024年内存市场生产位元成长Production bit growth的情况来看，预计三星明年的生产成长14%，SK海力士接近30%，美光增长 23%，NANYA增长16%。DRAM产能方面，三星在今年年底会达到120K，2025年规划达到170K。
HBM成为一大热门内存产品，吴雅婷分析，其中三星HBM产量占其总内存产量的9%，SK海力士占比达14%，美光由于后段产能不多，因此明年总产出占比为6%。美光的HBM验证状况稳定，目前HBM产能不算太多，今年底25K，明年底45K，市场份额还远低于SK海力士和三星电子这两家韩系厂商。
那么，对于明年HBM会否供过于求的问题，吴雅婷表示，我们始终认为明年HBM的需求非常旺盛，HBM的研发历程以及良率提升的难度会远高于之前的产品，因此目前预测的成长数字有可能会下修的。换言之，不会出现供过于求的情况。
吴雅婷指出，HBM的议价方式是一年一次，大约会在每年4月份发生，由于HBM还是比较热门，因此整体来看明年HBM不太会有缺货的情况，并且价格会持续上涨。
2024年HBM3的占比持续提升，而这个现象在明年会更加明显，预计HBM3e在明年将占所有HBM产出的85%。
三星HBM给英伟达的供货主要是配合H20，目前GB200还没有应用，此外三星HBM也为谷歌供货。SK海力士在今年下半年主力提供HBM给英伟达H200、GB200产品。美光HBM供应在明年主要集中在MI325和GB300。
2024年的内存供应，一方面是全球DRAM产能没有增加，而HBM快速渗透，HBM相比于DDR5需要用到更多wafer，因此影响内存供应量，从而带动内存价格上涨。
另一方面，疫情之后整个智能手机的出货量增速放缓，2024年由于内存价格上涨，各家厂商在手机中增加更多内存的意愿降低。若明年增长，则寄希望于AI手机的普及带动单机搭配容量的上升。
吴雅婷指出，明年LPDDR5将成为主流，其中LPDDR5在智能手机上的占比会提升到55%。
需求端：AI LPDDR 和 AI Server DRAM高成长
通用型Server DRAM 和 Mobile DRAM需求量占比最高，但AI LPDDR 和 AI Server DRAM成长性更好，正在成为市场下一个引领力量。
至于为何AI用LPDDR5越来越多，吴雅婷解释说，英伟达的Grace CPU制造工艺是用onboard的方式打在板子上，后续英伟达会将LPDDR5X以模组形式出货。预测算明年LPDDR5X 在 AI Server上的成长率会超过40%。同时，这将排挤 LPDDR5应用于智能手机的出货量。总体，明年LPDDR5的价格表现会比LPDDR4更有支撑度。
HBM需求方面，英伟达仍然是最大采购客户，今年占比达58%，明年预计是73%。在HBM价格坚挺，如若有价格弱化的情况也主要是BM2e或HBM3。随着HBM3E的持续渗透，明年有望占比超过8成。价格方面，HBM3e 12hi以每字节的价格来看，相比8hi的产品价格要贵10%到 15%。
集邦咨询认为明年HBM的产品均价成长会接近18%，当然并非每家厂商都有如此增长，要视厂商拿到的英伟达份额多少来看。
值得注意的是LPDDR的价格有向下的趋势，过去两三季度智能手机厂商积极消化库存，采购LPDDR4、LPDDR5意愿不强，不过随着库存水位的下降，有望在明年一季度开始畅旺地采购，从而拉动LPDDR的价格。
明年内存行情如何？
吴雅婷表示，预计2025年DRAM产值仍创历史新高，主要原因是HBM这一高价产品的渗透率提升。总体上明年供给位元成长25%，需求成长23%，因此每一家供应商对于明年的产能规划需要非常谨慎。
2025年HBM占内存整体市场份额接近9%，但由于价格高，对整个营收贡献达34%，甚至40%。如果DRAM价格跌幅进一步加深，HBM的占比相应会提高。而几家内存大厂的获利情况要视其在HBM上的竞争力以及HBM的供给量而定。
价格方面，2024年第四季度，终端厂商一直库存去化，造成一般型DRAM（Conventional DRAM）价格下降，每季大概下跌3%到8%，即便加上HBM 7个季度的表现，整体的DRAM价格仍有1%到 5%的下跌。明年上半年，因为消费型需求没有大回温的迹象，需求仍比较弱，整体的价格主要靠HBM支撑，预计整体DRAM在明年一季度的下跌会到10%，第二季度、第三季度跌幅缩小。
如若Conventional DRAM 的需求减少的同时，供应商压缩产能，那么明年下半年情况可能会有所改变。预计第三季、第四季整体 DRAM 的价格上涨。
Mobile DRAM方面，LPDDR4X和LPDDR5X市场表现不同，LPDDR4X供应量大，随着智能手机向 LPDDR5迁移，LPDDR4的价格走势面临挑战。而LPDDR5X在AI上应用越来越广泛，表现更稳健。
HBM3e依旧是明年的重点，占比到80%以上，尤其在12hi的产品，至于三大厂商的市场份额竞争，还得看部分厂商在英伟达的推进进度。
总体上，AI、通用服务器的内存需求表现良好，期待消费电子的需求增长，同时内存厂商调控Conventional DRAM的产能需因时而动。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网
网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
AI
+关注
关注
87文章
30725浏览量
268869 -
内存市场
+关注
关注
0文章
2浏览量
5621 -
HBM
+关注
关注
0文章
378浏览量
14742 -
LPDDR5
+关注
关注
2文章
89浏览量
12061
发布评论请先 登录
相关推荐
HBM4到来前夕，HBM热出现两极分化
，这样的热潮能持续多久，目前业界出现了不同的声音。 机构预警产能过剩 最近，外资摩根士丹利最新报告表示，预计随着市场分散化以及AI领域投资达到高峰，明年HBM
季丰电子开发出LPDDR5的SER测试方案并在中子辐射下完成SER实验
近日，受国内存储大厂委托，季丰电子在原有SER技术基础上，开发出了LPDDR5的SER测试方案，并成功在中子辐射下完成SER实验。 本次LPDDR5芯片的SER（软错误率）测试领域，主要涵盖硬件
AI时代核心存力HBM(上)
一、HBM 是什么？ 1、HBM 是 AI 时代的必需品作为行业主流存储产品的动态随机存取存储器 DRAM 针对不同的应用领域定义了不同的产 品，几个主要大类包括 LPDDR、DD
DDR5内存面临涨价潮，存储巨头转向HBM生产
产能布局，将大量资源转向生产面向AI需求的高频宽内存（HBM），导致DDR5等常规内存规格的生产量急剧减少。
Introspect DDR5/LPDDR5总线协议分析仪
ATE，它降低了成本，增强了DDR5系统的互操作性。
DDR5/LPDDR5发射机测试,LPDDR5/LPDDR5X Protocol An
发表于 08-06 12:03
三星开始量产其最薄LPDDR5X内存产品，助力端侧AI应用
低功耗内存市场的地位。 三星LPDDR5X DRAM 凭借在芯片封装领域丰富的技术经验，三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封装，使移动设备
新品迅为RK3588-LPDDR5核心板_LPDDR4x与LPDDR5的区别
架构与通信方式：LPDDR4x 采用了16n的通信方式(n为数据位宽)，而 LPDDR5 则引入了 32n的通信方式，可以提供更高的带宽和性能。
频率和时序：LPDDR5 相对于 LPDDR
发表于 07-17 10:13
被称为“小号HBM”，华邦电子CUBE进阶边缘AI存储
德赢Vwin官网
网报道（文/黄晶晶）与AI训练以GPU搭配HBM不同，边缘AI采用何种内存方式，DDR、GDDR、LPDDR等适用于不同的场景。日
M31宣布推出先进LPDDR内存IP，助力HPC高效能运算应用
M31宣布推出最新的LPDDR内存IP解决方案，以满足高效能运算（HPC）应用市场日益增长的需求，甚至放眼人工智能（AI）领域，除了算力之外，还有储存、快速撷取、加密和巨量信息分析，因
中国AI芯片和HBM市场的未来
然而，全球HBM产能几乎被SK海力士、三星和美光垄断，其中SK海力士占据AI GPU市场80%份额，是Nvidia HBM3内存独家供应商
SK海力士明年HBM产能基本售罄
SK海力士近日宣布，其高带宽内存（HBM）芯片在2025年的产能已经基本售罄。这一成绩主要归功于人工智能（AI）技术的蓬勃发展，极大地推动了市场对H
HBM内存市场旺盛，2025年产能与市场份额将攀升
该报告显示，2023 年 HBM 在市场中的占比仅为 2%，但预计今年将增至 5%，明年则有望突破 10%；而在市场份额上，从去年的 8%上
三星LPDDR5X DRAM内存创10.7Gbps速率新高
值得注意的是，此前市场上其他品牌的LPDDR5X DRAM内存最高速度仅为9.6Gbps。三星表示，新款10.7Gbps LPDDR5X内存
lpddr5时序比ddr5慢多少
LPDDR5和DDR5是两种不同类型的内存，它们在时序和性能方面有一些差异。尽管它们都是最新一代的内存标准，但它们面向不同的应用场景，并且在设计上有一些不同。 首先，让我们来了解一下
英伟达大量订购HBM3E内存，抢占市场先机
英伟达（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司订购大量HBM3E内存，为其AI领域的下一代产品做准备。也预示着内存市场将新一轮竞
工商网监
评论