富士通铁电白皮书，选择铁电存储的4点理由以及技术原理分析
一.Fujitsu铁电存储器(FRAM)技术原理
Fujitsu是全球最大的铁电存储器(FRAM)供货商，Fujitsu公司铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁晶体管材料，这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取内存(RAM)和非挥发性存贮产品(ROM)的特性。
铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
铁晶体管材料的工作原理是：当我们把电场加载到铁晶体管材料上，晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动，到达稳定状态，晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态，一个我们拿来记忆逻辑中的０、另一个记亿１，中心原子能在常温，没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上。铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存资料。
二、Fujitsu铁电存储器(FRAM)技术优点
传统半导体内存有两大体系：挥发性内存(VolatileMemory)，和非挥发性内存
(Non-volatileMemory)。
挥发性内存如SRAM和DRAM在没有电源的情况下都不能保存资料，但这种内存拥有高性能、易用等优点。
非挥发性内存像EPROM、EEPROM和FLASH能在断电后仍保存资料，但由于所有这些内存均起源自只读存储器(ROM)技术，所以您不难想象得到它们都有不易写入的缺点，确切的来说，这些缺点包括写入缓慢、有限次写入次数、写入时需要特大功耗等等。
FRAM第一个最明显的优点是FRAM可跟随总线(BusSpeed)速度写入，若比较起EEPROM/Flash的最大不同的是FRAM在写入后无须任何等待时间(NoDelayTMWrite)，而EEPROM/Flash须要等3~10毫秒(mS)才能写进下
一笔资料。
铁电存储器(FRAM)的第二大优点是近乎无限次读写。当EEPROM/Flash只能应付十万次(10的5次方)至一百万次写入时，新一代的铁电存储器(FRAM)已达到一百亿个亿次(10的10次方)的写入寿命。
铁电存储器(FRAM)的第三大优点是超低功耗。EEPROM的慢速和高电流写入令它需要高出FRAM2,500倍的能量去写入每个字节。
三、FujitsuFRAM铁电存储器的接口方式
所有产品皆符合工业规格温度标准-40℃至85.℃，所提供产品有串行I2C和SPI接口以及并行接口三种方式：
1.串行接口：
串行I 2C接口配选最少的接脚;
串行SPI接口(SPIBus)产品需要多一至两个接脚，但均具有高速和通讯协议简单的优点。
常见型号：MB85RC1MT、MB85RC512T、MB85RC256V、MB85RC128A、MB85RC64TA、MB85RC64A、MB85RC64V、MB85RC16、MB85RC16V、MB85RC04、MB85RC04V
MB85RS2MT、MB85RS1MT、MB85RS512T、MB85RS256B、MB85RS128B、MB85RS64T、
MB85RS64V、MB85RS64、MB85RS16。
2.并行接口：与标准SRAM脚位兼容。并行FRAM对SRAM+Battery(后备电池)的无奈设计方式，提供了一个最佳的解决方案。系统工程师不再需要担心电池干涸，和在系统里加上笨拙的机械装置。FRAM的封装就像SRAM一样有简单的SMD表面黏着封装(SOIC)或插脚封装(DIP)---而您也该是时候把电池仍掉了！
常见型号：MB85R8M1TA、MB85R8M2TA、MB85R8M2T、MB85R4M2T、MB85R4001A、MB85R4002A、MB85R1001A、MB85R1002A、MB85R256F
四、FRAM铁电存储器应用市场
物联网(Lot)
汽车
工业 (用于设施)
工业 (用于基础设施)
智能电表
企业
消费类
医疗类
联网
审核编辑 黄宇
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